电工与电子技术课件作者孙立坤等第7章节半导体器件基础.ppt

7.4　晶闸管 图7-??23　习题7-??10图 尚辅网 / 电工与电子技术 主编 第7章　半导体器件基础 7.1　半导体的基础知识7.2　半导体二极管7.3　晶体管7.4　晶闸管 7.1　半导体的基础知识 1)热敏性：半导体对温度很敏感，随着温度的升高，其导电能力大大增强。2)光敏性：半导体对光照也很敏感，当受光照射时其导电能力大大增强。3)掺杂性：半导体对“杂质”很敏感，掺杂以后导电能力大大增强。7.1.1　本征半导体 图7-??1　硅和锗的原子结构 7.1　半导体的基础知识 图7-??2　硅晶体的结构与电子-空穴的产生 7.1.2　N型和P型半导体 7.1　半导体的基础知识 　　本征半导体中由于载流子（自由电子和空穴）数目有限，所以导电能力不强，而且导电能力也无法控制。1.N型半导体2.P型半导体 图7-??3　硅中掺磷形成N型半导体 7.1　半导体的基础知识 图7-??4　硅中掺硼形成P型半导体 7.1.3　PN结的形成及特性 7.1　半导体的基础知识 　　PN结是构成半导体二极管、晶体管、场效应晶体管、晶闸管和半导体集成电路等多种半导体器件的基础。1.PN结的形成 图7-??5　PN结的形成过程 2.PN结的单向导电特性 7.1　半导体的基础知识 图7-??6　PN结的单向导电特性 7.2　半导体二极管 7.2.1　二极管的结构在PN结的P区和N区分别用引线引出，P区的引线称为阳极，N区的引线称为阴极，将PN结用外壳封装起来，便构成二极管，其结构和电气符号如图7???7所示。 图7-??7　二极管 7.2　半导体二极管 7.2.2　二极管的伏安特性 图7-??8　二极管的伏安特性曲线 7.2　半导体二极管 1.正向特性1)当二极管的外加正向电压很小时，呈现较大的电阻，几乎没有正向电流通过。2)当二极管的正向电压大于死区电压后，二极管呈现很小的电阻，有较大的正向电流流过，称为二极管导通，如AB段(或A′B′)特性曲线所示，此段称为导通段。2.反向特性1)当二极管承受反向电压时，其反向电阻很大，此时仅有非常小的反向电流(称为反向饱和电流或反向漏电流)，如曲线OC段(或OC′段)所示。 7.2　半导体二极管 2)反向电压增加到一定数值时(如曲线中的C点或C′点)，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿，此时对应的电压称为反向击穿电压，用UBR表示，曲线中CD段(或段)称为反向击穿区。7.2.3　二极管的主要参数　　二极管的参数是反映二极管性能的质量指标，工程上必须根据二极管的参数，合理地选择和使用二极管。(1)最大正向整流电流IFM　它是指二极管长期工作时所允许通过的最大正向平均电流。(2)最高反向工作电压UFM　它是指二极管工作时所允许加的最高反向电压，超过此值二极管就有被反向电压击穿的危险。(3)反向电流IR　它是指二极管未被击穿时的反向电流值。(4)最高工作频率fM　主要由PN结电容大小决定。 7.2　半导体二极管 7.2.4　稳压二极管　　稳压二极管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管，其图形符号和外形封装如图7???9所示。 图7-??9　稳压二极管的图形符号与外形 7.2　半导体二极管 图7-??10　稳压二极管的伏安特性曲线 7.3　晶体管 7.3.1　晶体管的结构和类型晶体管的种类很多，按工作频率不同可分为低频管和高频管；按功率大小可分为小功率管、中功率管和大功率管；按所用半导体材料不同可分为硅管和锗管；按结构和工艺不同可分为合金型和平面型等。 图7-??11　晶体管的结构和符号 7.3　晶体管 1)发射区杂质浓度远大于基区的杂质浓度。2)基区很薄，杂质浓度很低。3)集电结的面积比发射结的面积要大。7.3.2　晶体管的电流分配关系及放大能力　　晶体管实现放大作用的外部条件是：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 图7-??12　晶体管电流的实验电路 7.3　晶体管 1)发射极电流等于基极电流和集电极电流之和，即IE=IB+IC。 表7-??1　测量结果 2)集电极电流IC是基极电流IB的倍，称为直流放大倍数，即3)很小的IB变化可以引起很大的IC变化，也就是说基极电流对集电极电流具有小量控制大量的作用，这就是晶体管的电流放大作用(实质是控制作用)。7.3.3　晶体管的特性曲线 7.3　晶体管 图7-??13　测量晶体管特性的实验电路 1.输入特性曲线 7.3　晶体管 2.输出特性曲线 图7-??14　晶体管的输入特性曲线 7.3　晶体管 图7-??15　晶体管的输出特性曲线 (1)放大区　输出特性曲线的近于水平部分是放大区， 7.3　晶体管 在放大区内IC=βIB,放大区也称线性区，因为IC和IB成正比关系。