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第四章 晶体缺陷 研究缺陷的意义:由于缺陷的存在,才使晶体表现出各种各样的性质,使材料加工、使用过程中的各种性能得以有效控制和改变,使材料性能的改善和复合材料的制备得以实现。因此,了解缺陷的形成及其运动规律,对材料工艺过程的控制,对材料性能的改善,对于新型材料的设计、研究与开发具有重要意义。 缺陷的含义:通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。 理想晶体:质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体:存在着各种各样的结构的不完整性。 4.1 晶体结构缺陷的类型 分类方式: 几何形态:点缺陷、线缺陷、面缺陷等 形成原因:热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷等 一、按缺陷的几何形态分类 1. 点缺陷(零维缺陷) Point Defect ? 缺陷尺寸处于原子大小的数量级上,即三维方向上缺陷的尺寸都很小。 Now What Do You See? 2. 线缺陷(一维缺陷)位错(dislocation) 指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷,即缺陷尺寸在一维方向较长,另外二维方向上很短。如各种位错(dislocation),如图所示。 线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。 3.面缺陷 面缺陷又称为二维缺陷,是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷,即缺陷尺寸在二维方向上延伸,在第三维方向上很小。如晶界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。 面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。 面缺陷-晶界 晶界: 晶界是两相邻晶粒间的过渡界面。由于相邻晶粒间彼此位向各不相同,故晶界处的原子排列与晶内不同,它们因同时受到相邻两侧晶粒不同位向的综合影响,而做无规则排列或近似于两者取向的折衷位置的排列,这就形成了晶体中的重要的面缺陷。 亚晶界: 实验表明,在实际金属的一个晶粒内部晶格位向也并非一致,而是存在一些位向略有差异的小晶块(位向差一般不超过2°)。这些小晶块称为亚结构。亚结构之间的界面称为亚晶界。 面缺陷-堆积层错面心立方晶体中的抽出型层错(a)和插入型层错(b) 面缺陷-共格晶面面心立方晶体中{111}面反映孪晶 二 按缺陷产生的原因分类 1. 热缺陷 类型:弗仑克尔缺陷(Frenkel defect)和肖特基缺陷(Schottky defect) 热缺陷产生示意图 2. 杂质缺陷 特征:如果杂质的含量在固溶体的溶解度范围内,则杂质缺陷的浓度与温度无关。 杂质缺陷对材料性能的影响 3. 非化学计量缺陷 特点: 其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而变化。是一种半导体材料。 电荷缺陷:质点排列的周期性未受到破坏,但因电子或空穴 的产生,使周期性势场发生畸变而产生的缺陷; 包括:导带电子和价带空穴 4.2 点缺陷 本节介绍以下内容: 一、点缺陷的符号表征:Kroger-Vink符号 二、缺陷反应方程式的写法 一、点缺陷的符号表征: Kroger-Vink 符号 以MX型化合物为例: 1.空位(vacancy)用V来表示,符号中的右下标表示缺陷所在位置,VM含义即M原子位置是空的。 2.间隙原子(interstitial)亦称为填隙原子,用Mi、Xi来表示,其含义为M、X原子位于晶格间隙位置。 3. 错位原子 错位原子用MX、XM等表示,MX的含义是M原子占据X原子的位置。XM表示X原子占据M原子的位置。 4. 自由电子(electron)与电子空穴 (hole) 分别用e,和h ·来表示。其中右上标中的一撇“,”代表一个单位负电荷,一个圆点“ · ”代表一个单位正电荷。 5. 带电缺陷 在NaCl晶体中,取出一个Na+离子,会在原来的位置上留下一个电子e,,写成VNa’ ,即代表Na+离子空位,带一个单位负电荷;同理,Cl-离子空位记为VCl · ,即代表Cl-离子空位,带一个单位正电荷。 即:VNa’=VNa+e,,VCl · =VCl+h· 其它带电缺陷: 1) CaCl2加入NaCl晶体时,若Ca2+离子位于Na+离子位置上,其缺陷符号为CaNa · ,此符号含义为Ca2+离子占据Na+离子位置,带有一个单位正电荷。 2) CaZr,,表示Ca2+离子占据Zr4+离子位置,此缺陷带有二个单位负电荷。 其余的缺陷VM、VX、Mi、Xi等都可以加上对应于原阵点位置的有效电荷来表示相应的带电缺陷。 6. 缔合中心 电性相反的缺陷距离接近到一定程度时,在库仑力作用下会缔合成一组或一群,产生一个缔合中心, VM ’和VX ·发生缔合,记为(VM ’ VX · )。 二、缺
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