太阳能应用检测与控制技术课件作者吕勇军鞠振河第4章节太阳能电池及检测技术.pptVIP

Xi’an Jiaotong University Xi’an Jiaotong University 尚辅网 / * * 太阳能应用检测与控制技术 * 第4章 太阳能电池及检测技术 太阳能电池分类 4.1 太阳电池的基本特性 4.3 太阳电池、组件及阵列测试 4.4 太阳电池的工作原理 4.2 * 4.1 太阳能电池分类 4.1.1 按用途分类 1．空间太阳电池 2．地面太阳电池 3．光伏传感器 * 4.1.2 按电池材料分类 1．单晶硅太阳能电池 单晶硅太阳能电池的特点如下。 ① 作为原料的硅材料在地壳中含量丰富，对环境基本上没有影响。 ② 单晶制备以及PN结的制备都有成熟的集成电路工艺作保证。 ③ 硅的密度低，材料轻。即使是50?m以下厚度的薄片也有很好的强度。 ④ 与多晶硅、非晶硅比较，转换效率高。 ⑤ 电池工作稳定，已实际用于人造卫星等方面，并且可以保证20年以上的工作寿命。 * 4.1.2 按电池材料分类 2．多晶硅太阳能电池 ① 晶粒间界处存在势垒，阻断载流子的通过。 ② 晶粒间界作为一种晶体缺陷，起着有效复合中心作用。 ③ 在形成PN结的工艺过程中，掺杂的原子会沿着晶粒间界向下择优扩散，形成导电分流路径，增大漏电流。 * 4.1.2 按电池材料分类 3．非晶硅薄膜太阳能电池 ① 非晶硅具有较高的光吸收系数。特别是在0.3～0.75?m的可见光波段，它的吸收系数比单晶硅要高出一个数量级。因而它比单晶硅对太阳辐射的吸收效率要高40倍左右，用很薄的非晶硅膜（约1?m厚）就能吸收90%有用的太阳能。这是非晶硅材料最重要的特点，也是它能够成为低价格太阳能电池的最主要因素。 ② 非晶硅的禁带宽度比单晶硅大，随制备条件的不同约在1.5～2.0eV 的范围内变化，这样制成的非晶硅太阳能电池的开路电压高。 ③ 制备非晶硅的工艺和设备简单，淀积温度低，时间短，适于大批生产。 ④ 由于非晶硅没有晶体所要求的周期性原子排列，可以不考虑制备晶体所必须考虑的材料与衬底间的晶格失配问题。因而它几乎可以淀积在任何衬底上，包括廉价的玻璃衬底，并且易于实现大面积化。 ⑤ 非晶硅薄膜太阳能电池效率较低，商品化的电池的转换效率多在5%～8%。 * 4.1.2 按电池材料分类 4．化合物半导体太阳能电池 所谓化合物半导体是由两种以上元素的化合物构成的半导体，根据它们在元素周期表上的位置大致可分为III-V族、II-VI族等种类。化合物半导体太阳能电池是指以化合物半导体材料制成的太阳电池。砷化镓太阳能电池是其中应用最多的一种，其转换效率很高，但存在资源缺乏、有公害等问题。 * 4.1.3 按电池结构分类 1．同质结太阳能电池 2．异质结太阳能电池 3．肖特基太阳能电池 4．薄膜太阳能电池 5．叠层太阳能电池 6．湿式太阳能电池 * 4.2 太阳电池的工作原理 4.2.1 半导体的性质 半导体的电阻率较大（约10?5≤?≤105?·cm），而金属的电阻率则很小（约10?8～10?6?·cm），绝缘体的电阻率则很大（约?≥108?·cm）。半导体的电阻率对温度的反应灵敏，例如锗的温度从20℃升高到30℃，电阻率就要降低一半左右。金属的电阻率随温度的变化则较小，例如铜的温度每升高100℃，?增加40%左右。电阻率受杂质的影响显著。金属中含有少量杂质时，看不出电阻率有多大的变化，但在半导体里掺入微量的杂质时，却可以引起电阻率很大的变化，例如在纯硅中掺入百万分之一的硼，硅的电阻率就从2.14?103?·cm减小到0.004??cm左右。金属的电阻率不受光照影响，但是半导体的电阻率在适当的光线照射下可以发生显著的变化。 * 4.2.2 半导体物理基础 1．本征半导体 2．产生与复合 3．杂质和杂质半导体 （1）N型半导体（2）P型半导体 4．平衡PN结 * 4.2.2 半导体物理基础 4．平衡PN结 图4-1 PN结空间电荷区 * 4.2.3 半导体的内生光电效应 太阳电池能量转换的基础是结的光生伏特效应。当光照射到PN结上时，产生电子-空穴对，在半导体内部结附近生成的载流子没有被复合而到达空间电荷区，受内建电场的吸引，电子流入N区，空穴流入P区，结果使N区储存了过剩的电子，P区储存了过剩的空穴。它们在PN结附近形成与势垒方向相反的光生电场。光生电场除了部分抵消势垒电场的作用外，还使P区带正电，N区带负电，在N区和P区之间的薄层就产生电动势，这就是光生伏特效应。 * 4.2.4 半导体的能量转换过程 图4-2所示为光照时典型的电流-电压特性（暗电流）。当太阳光照射到这个太阳电池上时，将有和暗电流方向相反的光电流Iph产生。 图4-2 太阳电池I-V特