数字电子技术及应用教程中国通信学会普通高等教育“十二五”规划教材立项项目课件作者郭宏武国财第2章节门电路.pptVIP

第2章 集成门电路 图2.5.1 CMOS反相器 图2.5.2 CMOS与非门 3．CMOS或非门 电路如图2.5.3所示，串联起来的是两个P沟道增强型MOS管，并联起来的是两个N沟道增强型MOS管，T1和T2的栅极连接起来是输入端A，而T3和T4的栅极连接起来是输入端B。 图2.5.3 CMOS或非门 2.5.2 CMOS漏极开路门、三态门和传输门 1．CMOS漏极开路门（OD门） 2．CMOS三态门 3．CMOS传输门 图2.5.6（a）为CMOS传输门电路，它由NMOS管T1和PMOS管T2并联互补组成。两管的源极相联，作为输入端；两管的漏极相联，作为输出端。由于MOS管的结构是对称的，所以信号可以双向传输。图2.5.6(b)给出了传输门的逻辑符号。 尚辅网 / 内容提要： 本章全面介绍数字电路的基本逻辑单元——门电路。从半导体基础知识出发介绍二极管、三极管和MOS管的基本原理，二极管、三极管和MOS管在开关状态下的工作特性。二极管、三极管和MOS管构成的门电路。重点讨论目前应用广泛的TTL门电路和CMOS门电路。熟悉相关集成门电路在使用中应注意的问题。 2.1　概述 2.1.1 逻辑门电路的概念 逻辑门电路是指实现一定逻辑运算的电子电路，也称为门电路。例如，实现非运算的门电路叫做非门，实现或运算的门电路叫做或门。 在电子电路中，一般用高、低电平分别表示二值逻辑的1和0两种逻辑状态。 2.1.2 正逻辑与负逻辑 正逻辑是指用高电平表示逻辑1，低电平表示逻辑0的规定称为正逻辑。负逻辑是指用高电平表示逻辑0，低电平表示逻辑1的规定称为负逻辑。 对于同一电路，可以采用正逻辑，也可以采用负逻辑，正逻辑与负逻辑的规定不涉及逻辑电路本身的结构与性能好坏，无特殊说明，使用的都是正逻辑。 2.1.3 分立门电路和集成门电路 分立门电路是指每个门都是用若干个分立的半导体器件和电阻、电容连接而成的。 数字集成电路是指采用半导体制作工艺，将许多晶体管及电阻器、电容器等元器件制作在一块很小的单晶硅片上，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。 2.2　半导体器件的开关特性 2.2.1 二极管的开关特性 二极管的开关特性表现在正向导通与反向截止这样两种不同状态之间的转换过程。 1．静态特性 典型二极管的静态特性曲线(又称伏安特性曲线)如图2.2.1所示。 （1）正向特性 （2）反向特性 图2.2.1 硅二极管的伏安特性曲线 2．动态特性 二极管的动态特性是指二极管在正向导通与反向截止两种状态转换过程中的特性，它表现在完成两种状态之间的转换需要一定的时间。 （1）开通时间 （2）反向恢复时间 图2.2.4 二极管的开关特性 2.2.2 三极管的开关特性 在模拟电路中，晶体三极管通常作为线形放大元件或非线形元件被使用。在数字电路中，在大幅度脉冲信号作用下，晶体三极管也可以作为电子开关，而且晶体三极管易于构成功能更强的开关电路，因此它的应用比开关二极管更广泛。 1．三极管的静态特性 2．三极管的动态特性 2.2.3 场效应管的开关特性 在MOS集成电路中，为了使电路前后两级的高低电平范围能大致相同，一般都采用增强型MOS管作为开关工作管。 1．MOS管的静态特性 2．MOS管的动态特性 　2.3　分立元器件门电路 门电路是数字电路最基本的逻辑元件，应用十分广泛。 在数字电路中，最基本的逻辑运算有：“与”、“或”、“非”运算。与此对应的基本门电路便是“与”门、“或”门和“非”门。 2.3.1 二极管与门和或门 1．二极管与门电路 实现与逻辑关系的电路称为与门。图2.3.1（a）所示为二极管与门电路，A、B、C是它的三个输入端，Y是输出端。 实现或逻辑关系的电路称为或门。图2.3.2所示的是二极管或门电路。 图2.3.1 二极管与门电路 图2.3.2 二极管或门电路 2.3.2 三极管非门 如图2.3.3所示为晶体三极管非门电路及其逻辑符号。 图2.3.3 三极管“非”门电路 2.4 TTL集成门电路 TTL集成电路，因为其输入级和输出级都采用半导体三极管而得名，也叫晶体管-晶体管逻辑电路