半导体制造工艺课件作者张渊第8章节刻蚀.pptVIP

尚辅网 / 半导体制造工艺 第8章　刻　　蚀 第8章　刻　　蚀 8.1　引言8.2　刻蚀工艺8.3　干法刻蚀的应用8.4　干法刻蚀的质量控制 8.1　引言 8.1.1　刻蚀的概念刻蚀（Etching）是把进行光刻前所淀积的薄膜（厚度约在数百到数十纳米）中没有被光刻胶覆盖和保护的部分，用化学或物理的方式去除，以完成转移掩膜图形到薄膜上面的目的，如图8?1所示。 图 8-1　刻蚀图形转移示意图 8.1　引言 1)湿法刻蚀是利用合适的化学试剂将未被光刻胶保护的晶圆部分分解，然后形成可溶性的化合物以达到去除的目的。2)干法刻蚀是利用辉光(Glow Discharge)的方法产生带电离子以及具有高浓度化学活性的中性原子和自由基，这些粒子和晶圆进行反应，从而将光刻图形转移到晶圆上。8.1.2　刻蚀的要求1.图形转换的保真度高2.选择比3.均匀性4.刻蚀的清洁 8.2　刻蚀工艺 8.2.1　湿法刻蚀　　最早的刻蚀技术是利用溶液与薄膜间所进行的化学反应，来去除薄膜未被光刻胶覆盖的部分，从而达到刻蚀的目的。这种刻蚀方式就是湿法刻蚀技术。湿法刻蚀又称湿化学腐蚀，其腐蚀过程与一般化学反应相似。由于是腐蚀样品上没有光刻胶覆盖部分，因此，理想的腐蚀应当是对光刻胶不发生腐蚀或腐蚀速率很慢。刻蚀不同材料所选取的腐蚀液是不同的。1)湿法刻蚀的反应生成物必须