电气测试技术第3版课件作者林德杰5.3硅压阻式微型压力传感器.pptVIP

尚辅网 / 5.3 硅压阻式微型压力传感器 5.3.1 硅盒制作工艺简述 5.3.2 普通型单片集成压力传感器 5.3.3 具有温度补偿功能集成压力传感器 5.3.4 频率输出型压阻式集成压力传感器 5.3.5 集成压力传感器MPX3100 5.3.6 MPX7000系列压力变送器 5.3.7 扩散硅差压变送器 5.3.1 硅盒制作工艺简述 图5-10为硅盒式集成压力传感器芯片剖面图，采用硅盒结构将压敏元件与CMOS信号调理电路集成在同一硅芯片上制作微型压力传感器。其制作工艺简述如下： （1）首先在下层硅片表面通过掩蔽腐蚀方法形成深10 ，长和宽各60 的凹坑。 （2）将上层硅片与下层硅片在1150℃高温下烧结键合在一起便形成一个参照压力空腔。 （3）将上层硅片减薄至30 ，并将便面抛光，通过光刻对中方法在参照压力空腔上方的硅膜片上用离子注入工艺形成压敏全桥。 （4）用标准CMOS工艺在参照压力空腔周围的上层硅片上制作具有各种功能的信号调理电路。最后将引脚引出和封装，形成单片集成微型压力传感器。 图5-10 硅盒结构集成压力传感器剖面 5.3.2 普通型单片集成压力传感器 整个压力传感器芯片面积为1.5mm2，其原理电路见图5-11。 图5-11 集成压力传感器原理 5.3