电子技术基础课件作者庄丽娟主编第1章节半导体器件.ppt

第1章 半导体器件 1．1半导体二极管 1．2半导体三极管 1．3?场效应晶体管 1．4?基础实验 1．5?技能训练 本章小结 1．1半导体二极管 一、半导体的基本知识 半导体的定义及举例(硅、锗) 半导体的特性： 热敏性——热敏电阻 光敏性——光电二、三极管及光敏电阻 掺杂性——普通二、三极管 、场效应管 1．1半导体二极管 一、半导体的基本知识 N型半导体： 在本征半导体硅或锗中掺入微量的五价元素，可使自由电子的浓度大大增加，自由电子成为多数载流子，简称多子，空穴成为少数载流子，简称少子，由于主要靠电子导电，故称为电子型半导体，简称N型半导体。 1．1半导体二极管 一、半导体的基本知识 P型半导体： 在本征半导体硅或锗中掺入微量的三价元素,则空穴的浓度大大增加，空穴成为多子, 而自由电子为少子。这种以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。 1．1半导体二极管 二、PN结及其单向导电性 在一块完整的晶片上，通过一定的掺杂工艺，一边为P型半导体，另一边为N型半导体，则在它们的交界处形成一个具有特殊物理性能的薄层，称为PN结。 1．1半导体二极管 二、PN结及其单向导电性： 将P区接电源正极，N区接电源负极，称为PN结正向偏置，此时PN结处于正向导通状态。 1．1半导体二极管 二、PN结及其单向导电性： 将P区接电源负极，N区接电源正极，称为PN结反向偏置，此时PN结处于反向截止状态。 1．1半导体二极管 三、半导体二极管——结构、符号和类型 1．1 半导体二极管 1．1半导体二极管 三、半导体二极管——主要参数 1 最大整流电流IF 2 最高反向工作电压URM 3 二极管的参数除了IF、URM外，还有正向整流压降UF，反向电流IR即IS，二极管的直流电阻R，最高工作频率fM等。 1．1半导体二极管 稳压管和普通二极管的正向特性相同，不同的是反向击穿电压较低，且击穿特性陡峭，这说明反向电流在较大范围内变化时，击穿电压基本不变。稳压管正是利用反向击穿特性来实现稳压的，因此，稳压管正常工作时，工作于反向击穿状态，此时的击穿电压称为稳定工作电压，用UZ表示。 1．1 半导体二极管 四、特殊二极管——光电二极管、发光二极管 1．2 半导体三极管 一、结构、符号、外形 1．2半导体三极管 二、三极管的电流放大作用 1．2半导体三极管 1．2半导体三极管 二、三极管的电流放大作用 1．2半导体三极管 三、三极管的特性曲线 1．2半导体三极管 三、三极管的特性曲线 输入特性曲线与二极管正向特性曲线形状一样，也有一段死区，只有当uBE大于死区电压时，输入回路才有电流iB产生。常温下硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1~0.2V。另外，当发射结完全导通时， 三极管也具有恒压特性。常温下，硅管的导通电压为0.6～0.7 V，锗管的导通电压为0.2~0.3 V。 1．2半导体三极管 三、三极管的特性曲线 放大区:发射结正偏，集电结反偏。iC由iB决定，而与uCE关系 不大。 饱和区:发射结、集电结均正偏，iC由外电路决定，而与iB无 关，所对应的uCE值称为饱和压降，用uCES表示。 截止区:发射结零偏或反偏，集电结反偏， iB=0，iC=ICEO，此时, 三极管的c-e极间相当于开路状态, 类似于开关断开。 1．2半导体三极管 四、三极管的主要参数 ： 性能参数： 极间反向电流：ICBO，ICEO 电流放大系数： 极限参数：集电极最大允许电流ICM 集电极最大耗散功率PCM 集电极—发射极间的击穿电压U(BR)CEO 1．2半导体三极管 五、三极管的温度特性： 特性曲线：当环境温度升高时，输入特性曲线左移，输出特性曲线整族上移，并且曲线间距变大。 主要参数：无论硅管还是锗管，uBE随温度上升都将减小，其温度系数约为-2.5mV/℃，随温度上升，ICBO，ICEO和β都将增大。温度每升高10℃，ICBO近似增大一倍，β值增大5%~10%左右。 1．2半导体三极管 六、特殊三极管 光电三极管：基本原理与光电二极管相似，但它把光信号变成电信号的同时，还放大了信号电流，因此，具有更高的灵敏度。 光电耦合器：以光为媒介传输电信号的一种电-光-电转换器件。常见的发光源为发光二极管，受光器为光电二极管、光电三极管、光敏电阻等。光电耦合器可以组成开关电路，隔离耦合电路等。 1．3?场效应晶体管 一、结型场效应管——结构及原理 1．3?场效应晶体管 一、结型场效