集成电路制造工艺课件作者林明祥第6章节和第7章节.pptVIP

7.4　外延 7M15.tif 3.加热设备7.4.6　外延层参数测量 7.4　外延 1.电阻率测量2.厚度测量(110)晶面的外延层层错为两个相反的等腰三角形。3.位错和层错密度的测量4.高阻夹层的检验7.4.7　外延层质量讨论1.电阻率分布(1)纵向分布(2)横向分布①衬底杂质迁移②气流影响③系统沾有杂质 7.4　外延 ④反应室结构⑤生长温度和生长速率2.厚度的均匀性(1)厚度与时间关系(2)厚度与H2流量关系(3)厚度与加热温度关系(4)厚度与SiCl4浓度关系3.外延层的缺陷(1)表面缺陷(2)腐蚀缺陷①位错②层错 7.5　习题 1.什么叫化学气相淀积？有哪些特点？2.常用的CVD法有哪几种？3.简述LPCVD的基本原理。4.简述APCVD的基本原理。5.简述PECVD的基本原理。6.什么是硅气相外延？7.叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学反应式。8.硅烷热分解有哪些特点？操作时应注意什么？9.外延层生长之前，为什么要进行气相抛光？简述HCl气相抛光工作原理。10.外延层质量检测有哪几个项目？11.引起外延层电阻率不均匀的原因是什么？ 7.5　习题 12.引起外延层厚度不均匀的原因是什么？13.外延层缺陷有哪几项？ 7.2　CVD方法及反应室 图7-1　APCVD系统示意图1—喷嘴隔板　2—硅片　3—承片板4—电热板　5—输送带　6—驱动轮 7.2　CVD方法及反应室 7M1.tif 7.2　CVD方法及反应室 图7-2　亚常压CVD反应室(美国应用材料公司) 7.2.2　低压CVD淀积及反应室 7.2　CVD方法及反应室 图7-3　LPCVD示意图 7.2　CVD方法及反应室 7M3.tif 7.2　CVD方法及反应室 图7-4　LPCVD的反应室截面图(美国应用材料公司) 7.2　CVD方法及反应室 7M4.tif 7.2.3　等离子体增强型淀积及反应室 7.2　CVD方法及反应室 7M5.tif 76.tif 7.2　CVD方法及反应室 7M6.tif 76.tif 7.3　SiO2、多晶硅、硅化钨、PSG、BPSG 膜 1. SiO22. Si3N4(1)采用LPCVD(2)采用PECVD3.多晶硅4.硅化钨(1)硅化钨(2)金属钨5. PSG及BPSG 7.4　外延 1)给设计者提供了一种有别于扩散或离子注入的可以控制器件结构中杂质浓度分布的方法。2)外延层的性能在某些方面优于体材料，如不含氧和碳等杂质。3)在低阻衬底上能外延一层高阻单晶层，这样在高阻层上制作的器件可以同时得到高集电极反向击穿电压和低集电极串联电阻，成功地解决了开关晶体管的低饱和压降和高集电极击穿电压之间的矛盾。4)利用外延技术可以选择性生长单晶和隔离中的二氧化硅及多晶硅等，这就为集成电路的发展创造了有利条件。5)外延片在厚度、电阻率、均匀性、晶格完整性等方面，都能得到较好的控制，重复性也好，从而提高了半导体器件的稳定性和可靠性，同时为大生产带来了方便。 7.4　外延 7.4.1　外延原理 7.4　外延 图7-7　硅的外延生长示意图 7.4　外延 7M7.tif ①反应剂分子以扩散方式从气相转移到生长层表面；②反应剂分子被生长层表面吸附； 7.4　外延 ③被吸附的反应剂分子在生长层表面完成化学反应，产生硅原子及其他副产物；④副产物分子从表面解吸；⑤解吸的副产物以扩散方式转移到气相，随主气流排出反应室外；⑥反应生成的硅原子定位于晶格点阵，形成单晶外延层。 7.4　外延 图7-8　外延生长速率ν与SiC浓度Y的关系 7.4　外延 7M8.tif 7.4.2　外延生长工艺 7.4　外延 图7-9　外延工艺流程图 7.4　外延 7M9.tif 1.衬底气相抛光(1) HCl气相抛光 7.4　外延 7M10.tif 图7-10　HCl气相抛光速度曲线a)HCl浓度与抛光速度的关系图　b)抛光速度与温度的关系　c)HCl浓度的临界线 7.4　外延 (2)水汽抛光 7.4　外延 7M11.tif 7.4　外延 712.tif 7.4　外延 7M12.tif 7.4　外延 712.tif (3)氯气抛光2.对外延所用材料的要求(1)石墨加热基座的处理(2)氢气的纯化①分子筛吸附法②钯合金扩散法(3) SiCl4纯度7.4.3　外延生长方法 7.4　外延 1. SiCl4的H2还原法(1)反应原理 7.4　外延 图7-13　生长速率与四氯化硅在氢气中克分子浓度关系 7.4　外延 7M13.tif (2)影响生长速率因素①SiCl4浓度 7.4　外延 ②衬底加热温度③衬底晶向(3)SiCl4掺杂①液相掺杂②气相掺杂