高k介电薄膜的制备以及薄膜晶体管中的应用大学论文.docxVIP

毕业论文 (设计) 论文 (设计) 题目：高k介电薄膜的制备以及薄膜晶体管中的应用研究 The fabrication of high-k dielectrics film and itsapplication on thin film transistors学 生 姓 名 周广杰学 院 材料科学与工程 专 业 无机非金属材料工程 年 级 2011级 指导教师姓名 王素梅 副教授 2015年6月10日摘 要栅介质材料是金属--氧化层--半导体场效晶体管（MOSFET）中的一个重要组成部分。近年来，随着晶体管器件精细化、小型化的高速发展，高K材料的提出和开发成为了新的研究热点。但是用于 MOSFET 中的栅介质材料，除了要求高的介电常数外，对栅介质薄膜界面的质量要求非常高。晶粒尺寸及晶界均会对薄膜介电常数及漏电流大小产生影响。因此，对于栅介质材料的研究，具有非常重要的意义。本文选取了Al2O3作为栅介质材料，利用溶胶-凝胶法制备了非晶态 Al2O3 薄膜材料，研究了不同热处理条件（紫外光退火，光波退火等）工艺对薄膜微观结构及介电、漏电性能的影响。以氧化铝薄膜为介电层，掺杂铟稼的氧化锌为半导体层制备了低操作电压薄膜晶体管。操作电压可降低至3 V，场迁移率可达