传感器与检测技术课件作者魏学业第9章节化学传感器和集成式温度传感器.pptVIP

图9-28　DS18B20的方框图 DS18B20依靠一个单线端口通信。在单线端口条件下，必须先建立ROM操作协议，才能进行存储器和控制操作。因此，控制器必须首先提供下面5个ROM操作命令之一：①读ROM；②匹配ROM；③搜索ROM；④跳过ROM；⑤报警搜索。这些命令对每个器件的ROM部分进行操作，在单线总线上挂有多个器件时，可以区分出每个器件，同时可以向总线控制器指明有多少器件。成功执行完一条ROM操作序列后，即可进行存储器和控制操作，控制器可以提供6条存储器和控制操作指令中的任一条。 一条控制操作命令指示DS18B20完成一次温度测量。测量结果放在DS18B20的暂存器里，用一条读暂存器内容的存储器操作命令可以把暂存器中数据读出。温度报警触发器TH和TL 各由一个EEPROM字节构成。如果没有对DS18B20使用报警搜索命令，这些寄存器可以作为一般用途的用户存储器使用。可以用一条存储器操作命令对TH和TL进行写入，对这些寄存器的读出需要通过暂存器。所有数据都是以最低有效位在前的方式进行读写。 （3）两种供电方式 寄生电源供电如图9-29所示。这个电路会在I/O或VDD引脚处于高电平时“偷”能量。当有特定的时间和电压需求时（见“单线总线系统”部分），I/O要提供足够的能量。寄生电源有两个好处：①进行远距离测温时，无需本地电源；②可以在没有常规电源的条件下读ROM。要想使DS18B20能够进行精确的温度转换，I/O线必须在转换期间保证供电。由于DS18B20的工作电流达到1mA，所以仅靠5kΩ上拉电阻提供电源是不行的，当几只DS18B20挂在同一根I/O线上并同时想进行温度转换时，这个问题变得更加尖锐。 图9-29 DS18B20转换期间的强上拉供电 有两种方法能够使DS18B20在动态转换周期中获得足够的电流供应。第一种方法，当进行温度转换或拷贝到EEPROM存储器操作时，给I/O线提供一个强上拉。用MOSFET把I/O线直接拉到电源上就可以实现。在发出任何涉及拷贝到EEPROM存储器或启动温度转换的协议之后，必须在最多10μs之内把I/O线转换到强上拉。使用寄生电源方式时，VDD引脚必须接地。 另一种给DS18B20供电的方法是从VDD引脚接入一个外部电源，如图9-30所示。这样做的好处是I/O线上不需要加强上拉，而且总线控制器不用在温度转换期间总保持高电平。这样在转换期间可以允许在单线总线上进行其他数据往来。另外，在单线总线上可以挂任意多片DS18B20，而且如果它们都使用外部电源的话，就可以先发一个Skip ROM命令，再接一个ConvertT命令，让它们同时进行温度转换。注意当加上外部电源时，GND引脚不能悬空。 图9-30 VDD供电 温度高于100℃时，不推荐使用寄生电源，因为DS18B20在这种温度下表现出的漏电流比较大，通信可能无法进行。对于总线控制器不知道总线上的DS18B20是用寄生电源还是用外部电源的情况，DS18B20预备了一种信号指示电源的使用情况。总线控制器发出一个Skip ROM协议，然后发出读电源命令，如果是寄生电源，DS18B20在单线总线上发回“0”，如果是从VDD供电，则发回“1”，这样总线控制器就知道总线上是否需要DS18B20强上拉。如果控制器接收到一个“0”，它就知道必须在温度转换期间给I/O线提供强上拉。这个命令协议详见“存储器操作命令”部分。 （4）测温操作 DS18B20通过一种片上温度测量技术来测量温度，温度数据表列于表9-3中。 DS18B20是这样测温的：用一个高温度系数的振荡器确定一个门周期，内部计数器在这个门周期内对一个低温度系数的振荡器的脉冲进行计数来得到温度值。计数器被预置到对应于-55℃的一个值。如果计数器在门周期结束前到达0，则温度寄存器（同样被预置到-55℃）的值增加，表明所测温度大于-55℃。 同时，计数器被复位到一个值，这个值由斜坡式累加器电路确定，斜坡式累加器电路用来补偿感温振荡器的抛物线特性，然后计数器又开始计数直到0，如果门周期仍未结束，将重复这一过程。 斜坡式累加器用来补偿感温振荡器的非线性，以期在测温时获得比较高的分辨力。这是通过改变计数器对温度每增加一度所需计数的值来实现的。因此，要想获得所需的分辨力，必须同时知道在给定温度下计数器的值和每一度的计数值。 DS18B20内部对此计算的结果可提供0.5℃的分辨力。温度以16 bit带符号位扩展的二进制补码形式读出，表9-3给出了温度值和输出数据的关系。数据通过单线接口以串行方式传输。DS18B20测温范围-55℃～+125℃，以0.5℃递增。 表9-3 温度/数据表 温 度 值 数字输出（二进制） 数字输出（十六进制） +125℃ 0000 0111 1101 0000