传感与测试技术课件作者978-7-302-28748-3第3章节-常用传感器3.2.3,3.3.4电容式 测量电路.pptVIP

传感与测试技术课件作者978-7-302-28748-3第3章节-常用传感器3.2.3,3.3.4电容式 测量电路.ppt

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传感器定义、电阻式传感器 常用传感器 等效电路(Equivalent circuit) 考虑电容传感器在高温、高湿及高频激励的条件下工作,而不可忽视其附加损耗和电效应影响时,其等效电路如图。 寄生电容(Parasitical capacitance) 寄生电容与传感器电容并联,严重影响传感器的输出特性。消除寄生电容的影响,是电容式传感器实用的关键。下面介绍几种消除电缆寄生电容影响的方法: 驱动电缆法 原理:驱动电缆法是一种等电位屏蔽法。使用电缆屏蔽层电位跟踪与电缆相连的传感器电容极板电位,使两电位的幅值和相位均相同,从而消除电缆分布电容的影响。 寄生电容(Parasitical capacitance) 驱动电缆法 寄生电容(Parasitical capacitance) 整体屏蔽法 寄生电容(Parasitical capacitance) 采用组合式与集成技术 边缘效应(Margin effect) 理想平板电容器的电场线是直线的,但实际情况下,在靠近边缘地方的会变弯,越靠边就越弯得厉害,到边缘时弯得最厉害,这种弯曲的现象叫做边缘效应。 措施: 采用带有保护环的结构,如图: 静电引力(Electrostatic attraction) 电容式传感器两极板间因存在静电场,而作用有静电引力或力矩。静电引力的大小与极板间的工作电压、介电常数、极板距离有关。通常这种静电引力很小,但在采用推动力很小的弹性敏感元件情况下,需考虑因静电引力造成的测量误差。 温度的影响(Temperature effect) 环境温度的变化将改变电容传感器的输出相对被测输入量的单值函数关系,从而引入温度干扰误差。这种影响主要由两个方面因素引起的,一个是温度对结构尺寸的影响。另一个是温度对介质的影响。 尚辅网 / 传感器定义、组成及分类  电参量型传感器 电量型传感器 光电式传感器 光纤传感器 数字式传感器 电阻式传感器 电感式传感器 电容式传感器 电参量型传感器测量电路 电参量型传感器 电容式传感器 被测量变化能引起传感器输出电容值变化的传感器称为电容式传感器(Capacitance Transducer)。 电容传感器的工作原理与特性 以平板电容器为例: 电容式传感器 电容传感器的工作原理与特性 电容式传感器实际上是一个具有可变参数的电容器。根据电容器变化的参数不同,电容式传感器可分为极距变化型、面积变化型和介质变化型三类。 极距变化型电容传感器 面积变化型电容传感器 介质变化型电容传感器 应用中存在的问题和改进措施 极距变化型电容传感器 原理:当传感器的εr和A为常数,初始极距为δ0,变化的极距为δx则电容值: 极距变化型电容传感器 应用特性: 极距变化型电容传感器只有在|△δ/δ0|很小时(即测量范围△δ很小时),才有近似的线性输出,一般△δ=(0.01~0.1)δ0。其近似线性灵敏度为: 灵敏度S与初始极距δ0的平方成反比,故其灵敏度极高,其缺点是具有非线性特性,因此测量范围受到一定限制,适用于微小位移测量。 极距变化型电容传感器 差动结构: 非单一介质的电容传感器: 可进行位移测量和电介质的厚度测量。 差动式比单极式灵敏度提高一倍,且线性误差大为减小,还能有效地补偿温度变化所造成的误差。 面积变化型电容传感器 原理:改变电容器极板面积常采用线位移型和角位移型两种方式 。 平面线位移型 令以最大相对面积为初始位置, 1) 线位移型——平面线位移型和柱体线位移型 a b δ0 x 定极板 动极板 图3.34 面积变化型电容传感器 面积变化型电容传感器 柱体线位移型 令内外电极有效覆盖长度为x, 1) 线位移型——平面线位移型和柱体线位移型 面积变化型电容传感器 2) 角位移型 应用特性: 面积变化型电容传感器的优点是输出与输入关系是线性关系。 与极距变化型相比,灵敏度较低,适用于较大直线位移和角位移测量。 常采用差动式结构以提高灵敏度。 面积变化型电容传感器 图3.37 面积变化型差动式结构电容传感器 C A B (c) 柱体结构 (a) 扇形平板结构 A B C △α α r R O (b)柱面板结构 O A C B R α r l L 介质变化型电容传感器 原理:利用极板间介质的介电常数变化将被测量转换成电容变化的传感器称为介质变化型电容传感器。 以电介质插入式为例, x 应用特性: 变介质型电容传感器可用来测量电介质的液位或某些材料的温度、湿度和厚度等。 介质变化型电容传感器常用于非导电液体液位的测量,其灵敏度与介电常数的差值(ε2-ε1)的值成正比,(ε2-ε1)值越大灵敏度越高。 C—传感器电容;RP—低频损耗并联电阻; RS—串联损耗电阻;L—电容器及引线电感;CP—寄生

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