电工电子技术课件作者孙余凯韦雪洁第6单元半导体及其常用元器件.pptVIP

4．N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的原理 当在N沟道耗尽型场效应管的漏—源之间加上UDS电压，便可形成漏极电流ID。 如果在栅极上加正电压（UGS0）时，导电沟道就会加宽，ID就会增大。 反之，在栅极上加负电压（UGS0）时，导电沟道就会变窄，ID就会减小。 当栅—源极间的电压负到一定数值UP时，导电沟道会被反向电场所消除，所以这种场效应管称为“耗尽型”。 可见，耗尽型场效应管的栅—源电源可正也可负，它不同于增强型场效应管必须使栅—源极间的电压为正才能工作。 5．P沟道绝缘栅场效应管 以上介绍的是N沟道MOS管，简称NMOS管。 若用N型硅片做衬底（也称为基片），同样可得P沟道增强型或耗尽型绝缘栅场 效应管，简称PMOS管，其内部结构及电路符号如图6-26所示。 PMOS管的栅—源极间的电压应为负值。 图6-26 P沟道绝缘栅场效应管结构及电路符号 6．双栅极场效应管 双栅极场效应管实际上仍是一种绝缘栅型场效应管，其结构和电路符号如图6-27所示。 由结构图可知，该管有两个串联型沟道，两个栅极都能控制沟道的电流。 靠近源极S的栅极G1为信号栅，靠近漏 极D的栅极G2为控制栅，通常加控制（AGC，自动增益控制）电压。 它和一般MOS场效应管的不同之处在于 G1、G2极与S极、D极