GaMnN材料红外光谱中洛伦兹振子模型的遗传算法研究.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 6) P #( P ， ， ， ND /6) .D /P FHLIH:UH= #( （ ） !9#PQ#(Q6) P Q6()69% K70K JRSFT7K FT.T7K $#( 7@;- / J@?3 / FDC / !#$% 材料红外光谱中洛伦兹振子模型 的遗传算法研究! ） ） ） ）） ） ） ）） ! ! ! # ! # $ 程兴华 唐龙谷 陈志涛 龚 敏 于彤军 张国义 石瑞英 !）（四川大学物理科学与技术学院微电子学系，成都 %!%’ ） # ）（微电子技术四川省重点实验室，成都 %!%’ ） ）（北京大学宽禁带半导体研究中心，北京大学物理学院，北京 !()!） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #) !# ’ #( ! #! 利用红外反射光谱研究了蓝宝石衬底上用金属有机物化学气相淀积方法生长的稀磁半导体*+,-. 材料的晶 格振动特性 并成功地将改进的遗传算法应用于其红外反射光谱洛伦兹振子模型参数的提取 通过与 薄膜的 / / *+. 洛伦兹振子模型参数的对比研究发现， 掺入 后， 向高频方向移动，， 和 均增加，而 基本保持不 *+. ,- ! ! ! 01 2 3 41 变 文中同时分析和讨论了 对晶格振动特性的影响及介电函数变化的机理 / ,- / 关键词：稀磁半导体*+,-. 材料，遗传算法，洛伦兹振子模型，参数提取 ： ， ， ’(( )#(5 )%6* #) 其物理特性的研究可以为其将来的应用奠定良好的 !B 引 言 理论基础/ 反映声子模特性的介电函数是设计各种 发光器件和光学探测器件要考虑的的基本参数，基 稀磁半导体材料是近几年才制备成功的一种新 于稀磁半导体 *+,-. 材料的发光器件和光学探测 型材料 基于 族化合物的稀磁半导体（ ）材 器件的吸收系数是由*+,-. 材料的介电函数所决 / 9 E,F # 料被认为是极具发展潜力的自旋电子器件材料，因 定的/ 所以，研究*+,-. 材料的晶格振动特性对基 为它不仅支持载流子的自旋储存和输运，而且以9