射频电路设计-理论与应用 王子宇 译1.ppt

* 法拉第定律：作为源的磁通量B= H 的时间变化率象源一样引起旋转电场： μ 其中线积分沿着表面S的边界进行, 电场沿 着导线环积分，其感应电压： S B B V 路径 + - E 法拉第定律微分形式： 该式清楚表明必须从时间相关的磁通密度得到电场，随后该电场再按安培定律产生一个磁场。 （2.7） * 2.5 平行板传输线的电路参量 y w x dp z d 为了应用一维分析方法，必须假定w＞d,δ＜ dp 并假设导体平板中电场和磁场的形式为： 其中 代表电场和磁场随时间按正弦变化， 和 表 示空间变化。假定平行板很宽，故电磁场都与 y无关。应用微分 形式的法拉第和安培定律： 只考虑z方向的电场分量 μ 由源的磁通量 B= H的时间变化率引起的旋转电场 求导后令t=0, 只考虑空间 不考虑边缘场效应 * 由传导电流密度σE 表征的运动电荷在其周围引起的旋转磁场 其中： 对x求二次微分得： 因为p有一个正的实数分量，为了满足导体条件，在下平板向负 x方向的磁场幅度必是衰减的，故A应为零；同理在上平板B=0。 故在下平板内： 二阶方程的通解： B=H0是待定常数 只考虑y方向的磁场分量 * 在导体表面： 其电流密度： 由安培定律： 由电感定义 得线路相互 耦合的电感： δ＜ dp ＜ 远大于自感 Ls 故单位长度 的表面阻抗： 由电容定义 得线路相互 耦合的电容： 法拉第方程组 传导电流密度 （x = 0 处） S是下平行板横截面积 双导体数值翻倍 在介质场，电通量：D=εE （2.17） （2.18） （2.23） （2.19） （2.24） （2.20） * 介质中电导： 2.6 各种传输线结构小结 同轴传输线 参量 平行板传输线 单位 双线传输线 L G C H/m R S/m F/m Ω/m （2.25） * 2.7.1 基尔霍夫电压和电流定律表示式 2.7 一般的传输线方程 V(z+ z) z+ z Δ G R L C - z + I(z+ z) I(z) Δ V(z) - + Δ 由KCL： 微分方程： 由KVL： 微分方程： （2.28） （2.29） （2.30） （2.26） * 例2.4 推导平行板传输线方程。 解：由法拉第定律，沿着图示阴影区边界的线积分： 介质中磁场假定是均匀的，面积分： 由法拉第定律： d y w Hy z I J 第 i个单元 x z z+ z Δ 平板2 平板1 I 其中E 和E 分别是下平板和上平板的电场, 他们在导体中的方向相反; Ex(z)和Ex(z+ z) 是电介质中的电场，他们不管在什么位置, 方向都是相同的。 2 Δ z z 1 * 而磁场的线积分： 传导电流 位移电流 由安培定律，电介质中电流密度积分： 与2.30式一样 由2.3、2.23和2.25式： 平板1 平板2 第 i个单元 I I z y x w d z z+ z Δ 由2.19、2.18和2.24式及V=Exd： 即： 与2.28式一样 考虑到在z和z+ z处：Ex=V/d Δ 两边J=0,故H=0 * 通解 2.7.2 行进的电压和电流波 将 代入到 并求导 其中 称为复传播常数。 +表示沿+z方向传播 - 表示沿 -z方向传播 2.7.3 阻抗的一般定义 定义特性阻抗： 得： 对 和 两边求导再联立 得： 和 （2.32） （2.37） * 2.8 微带传输线 当基片厚度增加或导体宽度减小时，边缘的场便突出出来， 在数学模型中已不能忽略，近年来开发了考虑宽度和厚度计算 特性阻抗的近似表示式 (条件：导体厚度/基片厚度=t/h＜0.005). 当 时： 其中 是在自由空间的波阻抗 是有效介电常数 2.7.4 无耗传输线模型 经验公式 则： 同时 无耗时：R=G=0 由表2. C值 1中 L、 （2.41） * 当 时： * 当 时： 当