偏压法於非导体基材成长磊晶钻石之研究(II).PDFVIP

行政院國家科學委員會補助專題研究計畫成果報告 ※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※ ※ ※ ※ 偏壓法於非導體基材成長磊晶鑽石之研究(2/2)　※ ※　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　※ ※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※ 計畫類別 ：■個別型計畫 計畫編號 ：NSC　89－2216 －E － 009 － 006　－ 執行期間 ： 88 年8 月1 日至　89 年7 月31 日 計畫主持人 ：張 立 本成果報告包括以下應繳交之附件 ： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 □出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 執行單位 ：國立交通大學材料科學工程系 中　華　民　國　89　年　10　月　31　日 1 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 偏壓法於非導體基材成長磊晶鑽石之研究(2/2) Heterepitaxial growth of diamond on nonconducting substrates by biasing enhanced method 計畫編號 ：NSC 89 －2216 －E － 009 － 006 執行期限 ：88 年8 月1 日至89 年7 月31 日 主持人 ：張 立 交通大學材料科學工程系 計畫參與人員 ：張德富、盧俊安、莊坤霖、陳懋榮、陳厚光 交通大學材料科學工程系 一 、中文摘要 Keywords: positive bias, microwave plasma, 利用偏壓輔助孕核之微波電漿化學氣相 diamond film 沈積法分別於6H-SiC （0001 ）碳面、GaN 及Si （001 ）單晶基材上成長出織構鑽石薄膜。 二 、緣由與目的 6H-SiC 與GaN 單晶基材因導電性差，在微波 電漿化學氣相沈積法之環境下施以負偏壓輔 鑽石因具有極的高硬度 、高導熱係 助孕核所得到成核密度不高，故難以合成連續 數 、極高的絕緣性、高抗酸鹼能力、對輻 之鑽石薄膜。在300V 正偏壓的環境下輔助孕 射線的抵抗力和高能隙等特性 ，故主要應 核，結果得到極高的成核密度並可合成連續之 用的領域有:切削工具、研磨器材、保護層、 鑽石薄膜。拉曼光譜在1332 cm- 1處有一明顯之 光學元件 、高溫電子元件等應用。微波電 峰值，由此可證實鑽石膜的生成。經由掃瞄式 漿化學氣象沈積法可用來沈積多晶鑽石薄 電子顯微鏡在6H-SiC 與GaN 基材上觀察得到 膜 ，但若基材未經處理，則一般而言孕核 鑽石膜之表面形態多為 （001 ）織構，而在Si 密度接相當低 ，就矽基材來講，孕核密度 5 -2 基材上則可觀察到 （001 ）及（111）織構之鑽 不超過 10 cm [1] 。為了提高成核密度 ， 石薄膜，6H-SiC 、GaN 及Si 單晶基材在正偏 Yugo 等人提出利用偏壓輔助孕核的方式方 壓輔助孕核條件下所得到鑽石薄膜的成核密 式 ，於是可以得到相當高的成核密度[2] 。 7 - 2 許多人所做的結果 ，負偏壓有較佳的孕核 度均大於1 x 10 cm 。最後利用穿透式電子顯 微鏡觀察鑽石與基材之界面TEM 影像，可看