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次侧部分(下)
研发中心 彭磊 反激开关电源特点 优点 成本低,外围元件少,低耗能,可设置多组输出。 缺点 输出纹波比较大。 弥补缺陷的方法 输出加低内阻滤波电容或加LC噪声滤波器可以改善 电动自行车电源电路原理图 次级侧电路原理图 次级整流二极管的选型 为了降低输出整流损耗,次级整流二极管一般选用肖特基二极管,肖特基二极管有较低的正向导通压降Vf,能通过较大的电流。 次级整流管的热设计 二极管的热损耗包括正向导通损耗、反向漏电流损耗及恢复损耗。因为选用的是肖特基二极管,反向恢复时间短和漏电流比较小,可忽略不记。 二极管的PN结对环境的热阻可以通过DATASHEET查得Rthjc=1.2°C/W Tj=Rthjc*Vf*Id_rms+Ta Ta为工作的环境温度 Tj为二极管工作温度理论值 Vf表示二极管的正向导通压降 Id_rms表示通过二极管的平均电流 吸收回路 吸收的本质 ,什么是吸收? 在拓扑电路的原型上是没有吸收回路的,实际电路中都有吸收,由此可以看出吸收是工程上的需要,不是拓扑需要。 吸收一般都是和电感有关,这个电感不是指拓扑中的感性元件,而是指诸如变压器漏感、布线杂散电感。 吸收是针对电压尖峰而言,电压尖峰从何而来?电压尖峰的本质是什么? 电压尖峰的本质是一个对结电容的dv/dt充放电过程,而dv/dt是由电感电流的瞬变(di/dt)引起的,所以,降低di/dt或者dv/dt的任何措施都可以降低电压尖峰,这就是吸收。 吸收回路 吸收的作用? 1、降低尖峰电压 2、缓冲尖峰电流 3、降低di/dt和dv/dt,即改善EMI品质 4、减低开关损耗,即实现某种程度的软开关。 5、提高效率。提高效率是相对而言的,若取值不合理不但不能提高效率,弄不好还可能降低效率。 吸收回路 RC吸收的特点: 1、双向吸收。一个典型的被吸收电压波形中包括上升沿、上升沿过冲、下降沿这三部分,RC吸收回路在这三各过程中都会产生吸收功率。通常情况下我们只希望对上升沿过冲实施吸收。因此这意味着RC吸收效率不高。 2、不能完全吸收。这并不是说RC吸收不能完全吸收掉上升沿过冲,只是说这样做付出的代价太大。因此RC吸收最好给定一个合适的吸收指标,不要指望它能够把尖峰完全吸收掉。 3、RC吸收是能量的单向转移,就地将吸收的能量转变为热能。尽管如此,这并不能说损耗增加了,在很多情况下,吸收电阻的发热增加了,与电路中另外某个器件的发热减少是相对应的,总效率不一定下降。设计得当的RC吸收,在降低电压尖峰的同时也有可能提高效率。 吸收回路 吸收的误区 1、Buck续流二极管反压尖峰超标,就拼命的在二极管两端加RC吸收。 这个方法却是错误的。为什么?因为这个反压尖峰并不是二极管引起的,尽管表现是在这里。这时只要加强MOS管的吸收或者采取其他适当的措施,这个尖峰就会消失或者削弱。 2、副边二极管反压尖峰超标,就在这个二极管上拼命吸收。 这种方法也是错误的,原因很清楚,副边二极管反压尖峰超标都是漏感惹的祸,正确的方法是处理漏感能量。 3、反激MOS反压超标,就在MOS上拼命吸收。 这种方法也是错误的。如果是漏感尖峰,或许吸收能够解决问题。如果是反射电压引起的,吸收不但不能能够解决问题的,效率还会低得一塌糊涂,因为你改变了拓扑。 吸收回路 吸收的计算 书上网络上都有关于吸收回路的计算方法的介绍,但由于寄生参数的影响,这些公式几乎没有实际意义,实际上大部分的RC参数是靠实验来调整的,但RC的组合理论上有无穷多,怎么来初选这个值是很关键的,下面来介绍一些实用的理论和方法 。 1、先不加RC,用容抗比较低的电压探头测出原始的震荡频率.此震荡是有LC 形成的,L主要是变压器次级漏感和布线的电感和输出电容, C主要是二极管结电容和变压器次级的杂散电容。 吸收回路 2、测出原始震荡频率后, 可以试着在二极管上面加电容,直到震荡频率变为原来的1/2.则原来震荡的C值为所加电容的1/3,知道了C就可以算R值了, R=2∏fL=1/(2∏fC)。把R加到所加C上,震荡就可以大大衰减。这时再适当调整C值的大小,直到震荡基本被抑制。 吸收回路 吸收电路测试经验总结: 一、吸收电容C的影响 1、并非吸收越多损耗越大,适当的吸收有一个效率最高点。 2、吸收电容C的大小与吸收功率(R的损耗)呈正比关系。即:吸收功率基本上由吸收电容决定。 吸收回路 二、吸收电阻R的影响 1、吸收电阻的阻值对吸收效果干系重大,影响明显。 2、吸收电阻的阻值对吸收功率影响不大,即:吸收功率主要由吸收电容决定。 3、当吸收电容确定后,一个适中的吸收电阻才能达到最好的吸收效果。 4、当吸收电容确定后,最好的吸收效果发生在发生
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