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集成电路中基础 工艺综述 2. MOS IC工艺简介 (1) Si 栅 MOS FET 工艺原理图 (2) CMOS 工艺原理图 （3）NMOS 工艺流程 基本工艺 清洗工艺 氧化工艺 扩散工艺 光刻工艺 蒸发及镀膜工艺 腐蚀工艺 清洗工艺 吸附在物体表面的杂质一般可分为： 分子型 离子型 原子型 利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗物体表面上的杂质和油污发生化学反应和溶解作用 一，去除分子型杂质 H2SO4 : H2O2 = 1:1配比， 烧煮硅片表面的油脂，使其脱附 二，去除离子型 原子型杂质 1. 配制Ⅰ号液 NH4OH : H2O2 : H2O = 1 : 1 : 6 (体积比) 在电炉上煮沸几分钟，倒掉残液，用去离子水 冲洗几遍 2. 配制Ⅱ号液 HCl : H2O2 : H2O = 1 : 1 : 6 (体积比) 在电炉上煮沸10分钟左右，倒掉残液，用去离 子水冲洗30次以上。 氧化工艺