材料化学第2版朱光明秦华宇第七章.pptVIP

* * PPT研究院 POWERPOINT ACADEMY 此阶段发生较复杂的化学变化，这些变化主要包括粘土中结构水的排除，碳酸盐的分解，有机物、碳素、硫化物的氧化，以及石英的晶型转变 这是烧结过程的关键，坯体的基本原料长石和石英、高岭土在三元相图上的最低共熔点为985℃，随着温度升高，液相量逐渐增多，液相使坯体致密化。同时，液相析出新的稳定相莫来石，莫来石晶体的不断析出和线性尺寸的长大，交错贯穿在瓷坯中起骨架作用，使瓷坯强度增大，最终，莫来石、残留石英及瓷坯内的其他组分借助玻璃状物质而连结在一起，组成了致密的瓷坯。 冷却过程中，玻璃相在775～550℃之间由塑性状态转变为固态，残留石英在573℃由α石英转变为β石英。在液相固化温度区间必须减慢冷却速率，以避免由于结构变化引起较大的内应力。 水泥是水硬性胶凝材料，具有良好的粘结性，凝结硬化后有很高的机械强度，是基本建设中不可缺少的建筑材料。广泛应用于工业建筑、民用建筑、道路、桥梁、水利工程、地下工程以及国防工程中。 1. SiC2. Si3N43.氧化锆(ZrO2)4. Al2O3 SiC原料的生产方法主要有两种。一种是将硅石(石英)、焦炭等配料直接加热。另一种方法是使硅与碳直接进行反应. Si3N4粉末有两种制造方法，即氮化法与氯化法。 ZrO2有多种晶形转变，1600℃左右的晶形转变会引起很大的体积变化，从而导致制品开裂。作为高温材料使用时，采用稳定化方法，即添加MgO、CaO、Y2O3等作为稳定剂，使其成为从高温到低温均稳定的立方相c-ZrO2，作为耐火材料使用。 Al2O3性能优良，制造成本低，是应用最为广泛的特种陶瓷材料。 工业上Al2O3粉末主要采用拜耳法生产。将含铝量高的矾土矿侵入NaOH溶液中，将析出的Al(OH)3晶体在1000℃以上煅烧，即得到Al2O3。此法生产的Al2O3纯度为99.6％～99.9％，粉碎后粒径0.5～5μm。 一、超纯锗的制备二、超纯硅的制备三、砷化镓的制备 1.锗的资源2.锗的制备和化学提纯3.区域熔炼法提纯 1)煤，通常一吨煤中只含有几克锗。2)在锗石(7CuS·FeS·GeS2)矿和硫银锗(4Ag2S·GeS2)矿等矿石中含锗较多，最多的含锗量可达10％，但这些矿石是极罕见的。3)在一些锌、铜、银等金属矿(如闪锌矿)中，含有微量的锗，含量为0.01％～0.1％。 1)使含锗的矿石或原料转变成粗二氧化锗GeS2。2)用盐酸处理，使二氧化锗变成容易提纯的四氯化锗，即3)用精馏的方法提纯四氯化锗。4)用纯水进行水解得到高纯度的GeO2，即5)用氢气或锌还原二氧化锗，得到纯度为4个9(99.99％)的锗。 用化学方法提纯的锗，再经过区域熔炼法可使锗的纯度提高到8～9个9。下面介绍区域熔炼法的过程。 先将化学纯的锗熔化成长条形的锗锭放入高纯度的石墨舟皿或石英舟皿中，再把舟皿放入石英管内，向管内通入可使锗在高温下不发生化学变化的保护性气体(如氮或氩)，管外用一组通有高频电流的线圈加热。这时在线圈包围着的锗处就形成一个狭窄的熔化状态的区域(简称熔区)，而其余部分的锗仍保持固体状态。随着熔区的移动，熔区里的杂质就越来越多，聚集到锗锭的一端。让线圈从左到右反复移动多次，杂质就被集中到锗锭的右端。将右端切除，也有少数杂质在固相中的溶解度比在液相中大，随熔区的移动，这种杂质聚集在锗锭的另一端，因此有时把锗锭的两端都切除，中间一段即是很纯的锗。 1.硅的资源2.硅的制备和化学提纯3.悬浮区域熔融法提纯4.硅单晶的制备 硅的资源非常丰富，它是地壳中分布最广的元素，含量达25.8％。但是提纯硅要比提纯锗困难得多，这是因为硅的熔点较高(熔点：硅1423℃，锗960℃)，而且熔融时硅的化学性质较活泼，因此在半导体工业发展的初期锗的应用占上风，近年来随着硅材料生产工艺问题的解决，加上硅器件具有某些比锗器件优越的特性，硅的应用迅速发展，已超过锗。 (1)三氯化硅还原法 (2)四氯化硅还原法(3)硅烷热分解法　硅烷热分解法是制备高纯度硅很有前途的一种方法。 (1)三氯化硅还原法 先使粗硅与干燥的氯化氢气体在300℃左右的温度下进行反应,反应是放热反应，为抑制副反应的发生，提高产品三氯氢硅的纯度和收率，必须及时传走反应过程中释放的热量。为此反应物氯化氢气体常用不参加反应的氢气、氮气或氩气等稀释，这些稀释的气体能带走放出的热量，起冷却剂的作用，使反应温度控制在300℃左右。 粗硅与氯气可直接反应生成四氯化硅，这一反应是放热反应，温度通常控制在450～500℃，温度过高，一些杂质易被同时氯化，降低了四氯化硅的纯度；温度过低，则降低了四氯化硅的收率。 硅烷热分解法是制备高纯度硅很有前途的一种方法。制备硅烷的方法很多，一般先合成硅化镁，将硅