模拟与数字电路宁帆张玉艳第10章半导体存储器.pptVIP

第10章半导体存储器 10.1只读存储器 10.2随机读写存储器 10.3存储器容量的扩展 小结 RAM的结构由地址译码器、存储矩阵和读/写控制电路三部分组成，如图10-2-1所示。 1. RAM的结构 图10-2-1 RAM的结构 图10-2-2所示为由6只N沟道增强型MOS管组成的静态存储单元电路。 2.静态存储单元 图10-2-2六管NMOS静态存储单元 3.动态存储单元 （1） 三管动态存储单元 N沟道增强型MOS管组成的三管动态存储单元如图10-2-3所示。 DRAM的动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理制成的。 图10-2-3三管动态存储单元 图10-2-4所示为DRAM的单管动态存储单元，它是由N沟道增强型MOS管VT和一个电容CS组成。 （2） 单管动态存储单元 图10-2-4单管动态存储单元 动态存储单元需要进行周期性刷新，其优点是元件少，功耗低，适于构成大容量的存储器。 存储器芯片种类很多，容量不一样。当一片ROM或RAM不能满足存储容量或字数、位数的要求时，需要多片存储器芯片进行扩展，形成一个容量更大，字数、位数更多的存储器。 如果一片ROM或RAM的位数不够用时，可以采用位扩展方式。 图10-1-15所示为用16片1024×1位的RAM扩展为1024×16位的RAM。 1.位扩展 图10-3-1RAM的位扩展 图10-3-2所示为用两片512×8位的RAM扩展为1024×8位的RAM。 2.字扩展 图10-3-2RAM的字扩展 例10-3-1用8片512×8位的RAM扩展为2048×16位的RAM。 解由题意，字数和位数同时需要进行扩展。 RAM的扩展图如图10-3-3所示。 图10-3-3例10-3-1 的RAM的扩展图 半导体存储器是数字系统中存放大量信息的部件，其功能是存放不同程序的操作指令及各种需要计算处理的数据。 只读存储器（ROM）有掩模式ROM、PROM、EPROM、E2PROM等形式，属于非易失性存储器，一般用来存放固定的程序或数据，还可用来实现逻辑函数。 半导体随机读写存储器（RAM）用来存放动态数据或指令，分为双极型和MOS型两类。 MOS型RAM又分为静态（SRAM）和动态（DRAM）两种。 无论何种RAM，一旦断电，所存信息立刻消失。 在线教务辅导网： 更多课程配套课件资源请访问在线教务辅导网 * * 尚辅网 / 10.1只读存储器 10.2随机读写存储器 10.3存储器容量的扩展 本章将系统介绍半导体存储器的电路结构及工作原理，讲述存储器扩展容量的方法，介绍用存储器设计组合逻辑电路的概念、可编程逻辑器件的原理及应用。 学 习 要 点 1.熟悉ROM的不同类型，了解相应的电路结构及工作原理。 2.熟悉RAM的不同类型，了解相应的电路结构及工作原理。 3.掌握ROM和RAM的区别。 4.掌握存储器扩展容量的方法。 5.掌握用存储器设计组合逻辑电路的原理及方法。 存储器就是存储信息的设备或组件。 存储器的种类很多，常见的有磁盘、磁带、光盘、电荷耦合器件以及半导体存储器等。 半导体存储器以半导体器件为基本存储单元，存储大量的二值数据（0或1），用集成工艺制成，属于大规模集成电路。 半导体存储器目前主要用于计算机的内存储器和数字系统的存储设备。 半导体存储器的种类很多，根据用户能对存储器进行的操作分为只读存储器（Read Only Memory，ROM）和随机读写存储器（Random Access Memory，RAM）两大类；从制作工艺上，又把存储器分为双极型和MOS型。双极型存储器工作速度高，但制造工艺复杂，成本高，功耗大，集成度低，主要用于高速场合。 MOS型存储器制造工艺简单，成本低，功耗小，集成度高，所以目前大容量的存储器都是采用MOS型存储器。 只读存储器（ROM）有各种各样的类型，根据采用的基本存储单元工作原理的不同，可分为固定内容的只读存储器、光擦除可编程的只读存储器（EPROM）、电擦除可编程的只读存储器（E2PROM）等。 习惯上根据存储器的数据能否改写将存储器分为以下三类： 固定内容的只读存储器（ROM）； 一次改写的只读存储器（PROM）； 可多次改写的只读存储器（EPROM，E2PROM）。 固定内容的只读存储器（ROM）是采用掩模工艺制作的，存储器的数据在芯片的制作过程中就