半导体制造工艺12薄膜沉积(上).ppt

半导体薄膜：Si 介质薄膜：SiO2，Si3N4, BPSG，… 金属薄膜：Al，Cu，W，Ti，… ;1）化学气相淀积 — Chemical Vapor Deposition (CVD) 一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底表面发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。 例如：APCVD, LPCVD, PECVD, HDPCVD 2）物理气相淀积 — Physical Vapor Deposition (PVD) 利用某种物理过程实现物质的转移，即将原子或分子转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜的技术。 例如：蒸发 evaporation，溅射sputtering;除了CVD和PVD外，制备薄膜的方法还有:;外延：在单晶衬底上生长一层新的单晶层，晶向取决于衬底;CMOS栅电极材料；多层金属化电极的导电材料;对薄膜的要求;化学气相淀积（CVD）;(1)反应剂被携带气体引入反应器后，在衬底表面附近形成“滞留层”，然后，在主气流中的反应剂越过边界层扩散到硅片表面 (2)反应剂被吸附在硅片表面，并进行化??反应;F1是反应剂分子的粒子流密度 F2代表在衬底表面化学反应消耗的反应剂分子流密度;hG 是质量输运系数（cm/sec）;设;Y一定时， v 由hG和ks中较小者决定 1、如果hGks，则Cs≈CG,这种情况为表面反应控制过程 有 2、如果hGks，则CS≈0，这是质量传输控制过程 有 质量输运控制，对温度不敏感;T对ks的影响较hG大许多，因此： hGks质量传输控制过程出现在高温 hGks表面控制过程在较低温度出现;以硅外延为例（1 atm，APCVD）;当工作在高温区,质量控制为主导，hG是常数，此时反应气体通过边界层的扩散很重要，即反应腔的设计和晶片如何放置显得很重要。;单晶硅外延要采用图中的卧式反应设备，放置硅片的石墨舟为什么要有倾斜? ;这里界面层厚度?s是x方向平板长度的函数。;因此，支座倾斜可以促使?s(x)沿x变化减小 原理：由于支座倾斜后，气流的流过的截面积下降，导致气流速度的增加，进而导致?s(x)沿x减小和hG的增加。从而用加大hG的方法来补偿沿支座长度方向的气源的耗尽而产生的淀积速率的下降。尤其对质量传输控制的淀积至关重要，如APCVD法外延硅。;本节课主要内容