模拟电子技术吴恒玉第1章半导体器件.pptVIP

1.2　相关的理论知识 1.2　相关的理论知识 馋死 PPT研究院 POWERPOINT ACADEMY 1.2　相关的理论知识 2)当uGS0且uGS较小时，则在uGS的作用下，在栅极下面的二氧化硅中产生一个由栅极指向P衬底的电场，使P衬底中的空穴向下移动到衬底下表面，留下的是不能移动的负电荷，同时少子(自由电子)向上移动到衬底上表面，由于uDS很小，吸引的电子不能形成沟道，所以iD=0。3)若uGS继续增大，当uGS=UGS(th)时，衬底上表面电子增多，形成一个N型薄层，这个薄层称为反型层，形成了一个沟道，只要uDS0，就有电流iD产生，如图1-47b所示。4)导电沟道形成后，在uDS作用下(uDS0)，uGD=uGS-uDS小于栅源电压uGS，uDS增大使iD线性增大，沟道沿源-漏方向逐渐变窄。2.特性曲线(1)转移特性曲线　图1-48a所示为某增强型NMOS场效应晶体管的转移特性曲线。 1.2　相关的理论知识 (2)输出特性曲线　N沟道增强型场效应晶体管的典型输出特性曲线如图1-48b所示。 图1-48　增强型NMOS场效应晶体管的伏安特性曲线 　场效应晶体管的主要参数及使用注意事项 1.2　相关的理论知识 1.场效应晶体管的主要参数(1)性能参数1)开启电压UGS(th)：UGS(th)是在uDS为一常量时，使iD大于零所需的最小uGS值。2)夹断电压u