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新型锑基材料可饱和吸收镜在光纤激光器中的应用研究——“通信原理”系列讲座  孙晓岚 上海大学 通信与信息工程学院 2009.6 研究领域 研究基础-1 研究GaAsSb多层量子阱的光学性质，发展出一系列不同As含量 的材料。 (1)该系列材料在室温下能够被激发出波长在1.5微米附近的激 光，并且与高质量的AlGaSb/AlSb布拉格反射镜单片集成， 应用于垂直腔面发射激光器（VCSELs）； (2)实验表明，随着As含量的增加，光致荧光强度明显增强，显 示出该系列材料在光子器件方面有着广阔的应用前景； (3)此外，细微调节As的含量和势阱宽度，能够实现在1480-1540 nm波段具有高辐射效率的材料。 这一研究成果发表在Applied Physics Letters。 “Enhanced photoluminescence of GaAsSb QWs”, Alan R. Kost*, Xiaolan Sun, Nasser Peyghambarian, Nayer Eradat, Espen Selvig, Bjorn-Ove Fimland, and David H. Chow, Applied Physics Letters, 85, 5631 (2004). (影响引子3.98) 研究基础-2 深入探索GaAsSb多层量子阱在光子集成领域的应用。由离子注入 产生的量子混杂的半导体禁带宽度修饰是实现光子集成的有效方 式。利用量子阱混杂来空间选择性的控制多层量子阱的光学性 质。 (1)实现最大可至198纳米的禁带蓝移，这在文章发表当时是已知 世界范围内最大的禁带蓝移； (2)一般来说，注入离子的样品的光致命荧光强度随着退火温度的 升高而增强； (3)禁带蓝移是由III族和V族元素相互扩散共同导致的。 这一研究结果发表在Applied Physics Letters。 “Large blue shift of the band gap of GaAsSb/AlSb multiple quantum wells (MQWs) with ion implantation”, Xiaolan Sun, Nasser Peyghambarian, Alan R. Kost* and Nayer Eradat, Applied Physics Letters, 86, 3665 (2005). (影响引子3.98) 研究基础-3 GaAsSb多层量子阱的亚皮秒量级的自旋弛豫时间使得该 材料成为全光开关器件的理想材料。该材料有可能实现中 心波长在1.5 ?m的、开关速度小于250 fs的全光偏振开关。 提出把GaAsSb多层量子阱应用到半导体光学放大器的构 想。 完成了应用在半导体光学放大器中的四波混频的数值模拟 计算，完成了线偏光和圆偏光的实验，并且得到了与理论 计算一致的实验数据。 这一研究成果的相关论文正在撰写中。 研究基础-4 进入上海大学后，主要从事纳米半导体掺杂光纤制备关键 技术及放大特性研究。 基于原子层沉积技术（ALD） 以纳米半导体作为掺杂源 研究不同基质材料光纤中纳米半导体的形成机理、光辐射特性及制备关键技术，实现纳米掺杂 重点解决现有放大光纤技术中存在的放大光谱带宽窄、掺杂不均匀以及掺杂浓度低等问题。 发表论文 1．“Large blue shift of the band gap of GaAsSb/AlSb multiple quantum wells (MQWs) with ion implantation”, Xiaolan Sun, Nasser Peyghambarian, Alan R. Kost* and Nayer Eradat, Applied Physics Letters, 86, 3665 (2005). (影响引子3.98) 2．“Enhanced photoluminescence of GaAsSb QWs”, Alan R. Kost*, Xiaolan Sun, Nasser Peyghambarian, Nayer Eradat, Espen Selvig, Bjorn-Ove Fimland, and David H. Chow, Applied Physics Letters, 85, 5631 (2004). (影响引子3.98) 3．“Large blue shifts in band gaps of antimonide-based multiple quantum-wells based on ion implantation”, Xiaolan Sun, Nayer Eradat, Chia Hu