第6章-CMOS集成电路制造工艺.pptVIP

* SOI MOSFET的性能 厚膜器件 tsi2xdm。背栅对MOSFET性能基本没有影响，和体硅MOS器件基本相同 薄膜器件 tsixdm。在栅电压的作用下可以使顶层硅膜全部耗尽 可以通过减薄硅膜抑制短沟道效应 * 形成SOI 硅片的基本工艺 (1) 注氧隔离技术（SIMOX） 通过高能量、大剂量注氧在硅中形成埋氧化层. O+的剂量在1.8×1018cm-2左右；能量~200kev 埋氧化层把原始硅片分成2部分，上面的薄层硅用来做器件，下面是硅衬底 * 形成SOI 硅片的基本工艺 (2) 键合减薄技术（BE） 把2个生长了氧化层的硅片键合在一起，两个氧化层通过键合粘在一起成为埋氧化层 其中一个硅片腐蚀抛光减薄成为做器件的薄硅膜，另一个硅片作为支撑的衬底 * 形成SOI 硅片的基本工艺 (3) 智能剥离技术（smart cut） 解决了如何用键合技术形成薄膜SOI材料 可以形成高质量的薄硅膜SOI材料 * * 基于台面隔离的SOI CMOS基本工艺流程 * * SOI CMOS的优越性 每个器件都被氧化层包围，完全与周围的器件隔离，从根本上消除了闩锁效应； 减小了pn结电容和互连线寄生电容 不用做阱，简化工艺，减小面积 极大减小了源、漏区pn结面积，从而减小了pn结泄漏电流 有利于抑制短沟效应； 有很好的抗幅照性能； 实现三维立体