半导体物理(第4章).pptVIP

§4.4电阻率与杂质浓度和温度的关系 （1）电阻率与温度的关系： ① 低温区： T↑,n ↑,μ ↑.(电离杂质散射).主要由n-T 的变化决定. 温度较低时，载流子主要来源于杂质电离，随温度升高杂质电离加强使载流子浓度增加。另一方面低温下载流子散射以电离散射为主，温度升高，散射减弱迁移率增加，电阻率随温度升高而下降 §4.4 电阻率与杂质浓度和温度的关系 ② 温度升高到杂质饱和电离区： n基本不变,晶格振动散射是主要的.随着温度T的升高,迁移率μn下降,电导率σ也下降.即 T↑ → μn↓ → σ ↓ → ρ ↑ ③ 进入本征区后： 随着温度T的升高,载流子浓度n以e指数的形式增加,而迁移率μn以幂指数的形式下降,电导率σ也升高.即 T↑ →n ↑,μn↓ → σ↑ → ρ ↓ §4.4电阻率与杂质浓度和温度的关系 求室温下本征硅的电阻率。在本征硅中掺入百万分之一的硼之后，其电阻率比本征电阻率降了多少倍？ (2) 电阻率与杂质浓度的关系： §4.4电阻率与杂质浓度和温度的关系 (2) 电阻率与杂质浓度的关系： 轻掺杂情况下(1016～1018cm-3),可认为300k时，杂质饱和电离. 所以n ≈ Nd, p ≈ Na，或n ≈ Nd – Na , p ≈ Na –Nd (轻补偿). §4.4