半导体物理学_第七版_刘恩科编著chap8.pptVIP

表面势：空间电荷层两端的电势差为表面势，以Vs表示之，规定表面电势比内部高时，Vs取正值；反之Vs取负值。 p型半导体： 1.多数载流子堆积状态 金属与半导体表面加负压，表面势为负，表面处能带向上弯曲。 2.多数载流子耗尽状态 金属与半导体表面加正压，表面势为正，表面处能带向下弯曲，表面处空穴远低于体内空穴浓度。 3.少数载流子反型状态 当金属与半导体表面间正压进一步增大，表面处费米能级位置可能高于禁带中央能量，形成反型层。半导体空间电荷层的负电荷由两部分组成：耗尽层中已经电离的受主负电荷和反型层中的电子。 n 型半导体： 金属与半导体间加正压，多子堆积； 金属与半导体间加不太高的负压，多子耗尽； 金属与半导体间加高负压，少子反型； （3）耗尽： Vs0 /Qs/ Vs xd (4)反型 qVB qVs 根据Boltzmann统计： 开启电压VT：使半导体表面达到强反型时加在金属电极上的栅电压就是开启电压. 临界强反型时： 强反型后： Vs 》 VB ，且qVs》k0T §8.3 MIS结构的C-V特性Capacitance-voltage Characteristics of MIS Structure 1、理想C-V特性 C/Co * * 第八章 半导体表面与MIS结构Semiconductor surface and metal-insulator-