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半导体量子井材料PL谱 半导体材料 半导体材料是导电性可受控制，范围可从绝缘体体至导体之间的材料。 以Si、Ge、GaAs等半导体材料为基础的高性能晶体管、集成电路以及其他电子元件正以令人惊叹的速度发展，并且已经应用到信息社会的各个领域。 低维（量子阱、量子线、量子点）材料在一个新的水平上体现了半导体的特点，这个领域的开拓正有力地推进半导体研究和新一代高技术的发展。本幻灯片将为大家介绍量子井的光越迁特性及其检测手段之一的光致发光谱（PL谱）。 什么是量子阱？ 量子阱结构是指载流子的运动在一个方向受到约束，即这个方向的尺寸与电子的德布罗意波长相比拟或更小，载流子只能在二维平面内自由运动 。 在量子半导体井材料中，原本体材料中准连续的能带变成了量子化的能级或被子禁带隔开的一些子能带。另一方面，由于电子波函数形式的改变，态密度出现不连续性。 不同维度量子限制效应的态密度与能量的关系 单量子阱的能带结构以及波函数示意图 主要半导体材料 AlGaAs InGaAs InGaN InGaP InAsP InGaAsP 复合发光及其检测 半导体材料在受到激发时，电子由低能级向高能级跃迁，形成非平衡载流子。这种处于激发态的电子经过一段时间又恢复到较低的能量状态，发生电子一空穴对的复合。复合过程就伴随着光子的发射。（如图）导带中的电子恢复到价带中，发出光子能量决定于E、H间能级差。