用于基础架构接收器地超低噪声放大器设计.PDFVIP

白皮书 用于基础架构接收器的超低噪声放大器设计 作者：Fikret Altunkilic、Alan Miller 、Vivian Tzanakos 和 Michele Lewis 简介 放大器要适用于无线基础架构接收器，必须满足低噪声、 低频带 高频带 高线性度和无条件稳定性等关键要求。为此，Skyworks 0.9 GHz 1.9 GHz 使用 0.5 微米增强型 pHEMT （即E-pHEMT） 技术开 参数 SKY67101 SKY67100 发了新的低噪声放大器 (LNA) 系列。覆盖 0.7–1.0 GHz 噪声系数 (NF, dB) 0.55 0.65 的 SKY67101-396LF 和覆盖 1.7–2.0 GHz 的 增益 (G , dB) 18 17.5 SKY67100-396LF 适用于 GSM 、WCDMA 、 A TDSCDMA 和 LTE 输入回波损耗 (|S11|, dB) 20 20 基础架构接收回路应用。为降低成本和节省 PCB 空 间，这些 LNA 均采用 2 x 2 毫米 QFN 封装，且不同频 输出回波损耗 (|S22 |, dB) 20 12 带可使用相同的布线。 隔离度 (|S12|, dB) 30 30 输出 1dB 压缩 (OP1 dB, dBm) 18 18 规格 三阶交调截取点 (OIP3, dBm) 34 34 噪声系数 (NF) 性能是接收器系统的关键参数之一，因 电源电压 (V, V) 4 4 为它描述的是对低电平信号的接收能力。噪声系数越 低，接收器的灵敏度越好。以三阶交调截取点 (IP3) 表 电源电流 (I, mA) 55 55 征了当有频率相近信号时，放大器抑制互调失真的能 HBM 静电释放额定值 250 250 力。绝对稳定性是指放大器在任何输入或者输出负载条 件下都不会产生振荡的能力。其它一些规格，包括电流 (ESD, V) 消耗、回波损耗和人体模型静电释放 (HBM ESD) 等也 同样重要，在 LNA 设计过程中也必须对其加以考虑。 表 1. VDD = 5 V ，温度 = 25°C 条件下的 LNA 规格 为了以最小的代价获取最优化的性能，需要采用一些特 殊的设计技术。低频带和高频带 LNA 的目标规格如表 1 所示。 技术和拓扑结构选择 为获得优秀的 RF 性能、超低的噪声和高线性度，设计 选择使用 0.5 μm 增强型 pHEMT 技术。由于该技术在 FET 的门极只需要正电压，因而也简化了 MMIC 设计。 这样就可以直接把电源接地，并且无需额外元件构成自 偏置结构。电路仿真也因此可以相当精确。