结构参数对GaN肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计.pdfVIP

第30卷第6期 发 光 学 报 VoL30 No．6 2009年12月 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCEDec．，2009 文章编号：1000-7032【2009)06-0824-08 结构参数对GaN肖特基紫外探测器性能的影响及器件设计 周 梅1，赵德刚2+ (1．中国农业大学理学院应用物理系，北京100083； 2．中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京100083) 摘要：研究了GaN肖特基结构(n一·GaN／n+一GaN)紫外探测器的结构参数对器件性能的影响机理。模拟计 算结果表明：提高肖特基势垒高度和减小表面复合速率，不仅可以增加器件的量子效率，而且可以极大地减 小器件的暗电流；适当地增加n一一GaN层厚度和载流子浓度可以提高器件的量子效率，但减小n一．GaN层的载 流子浓度却有利于减小器件的暗电流。我们针对实际应用的需要，提出了一个优化器件结构参数的设计方 案，特别是如果实际应用中对器件的量子效率和暗电流都有较高的要求，肖特基势垒高度应该≥0．8eV， 7 x n一．GaN层的厚度，200am，载流子浓度110”cm。左右，表面复合速率1×10cm／s。 关键词：GaN；紫外探测器；器件设计 中图分类号：TN364PACS：73．30．+y；85．60．GzPACC：7330；7280E文献标识码：A GaN基紫外探测器的研究和制备大多是实验结 1 引 言 果的讨论和描述，很少有从理论上去探讨器件结 被称为第三代半导体的氮化镓(GaN)及其系构参数的优化和设计，这在一定程度上增加了研 列材料在光电子学和微电子学领域有重要的应用 究工作的成本，而且也不利于研究工作的进一步 价值。目前，高亮度的蓝光发光二极管已经实现 深人。 商业化，而基于GaN激光器的蓝光DVD也将逐 肖特基结构和p-i—n结构是探测器的两种最 步走向家庭¨J。作为另外一种重要的GaN光电常规的器件结构，如果从理想情况来说，p．i．n器 子器件，GaN基紫外探测器具有可见光盲、量子 件结构的器件具有更小的暗电流，但是对P型要 效率高、可零偏压工作、耐高温、抗腐蚀等优点，在 求很高。而对于GaN的器件来说，高质量的P型 火箭跟踪、大气监测、紫外线辐射计量等领域有重 实现是一件非常困难的事情，所以实际的器件制 要的应用前景，受到人们极大的关注。经过多年 备中，p-i一11结构探测器未必具有很好的性能。正 的发展，不仅研制出MSM(金属．半导体·金属)结是由于P型实现的困难，肖特基结构也就成为人 构、肖特基结构、p．i—n结构等多种结构的GaN基们的选择，特别是对于GaN的肖特基结构探测器 紫外探测器单元器件心。】，而且还研制成功320× 来说，肖特基势垒高度可以做得很高，暗电流也能 256焦平面阵列的太阳盲紫外探测器哺J。材料质做得非常小，从而也能达到很好的性能，所以研究 量对GaN基光电子器件起着至关重要的作用， 结构参数对GaN肖特基紫外探测器的影响对于 GaN基紫外探测器的发展同样如此，人们更多地 器件设计和制备具有非常重要的意义。本文主要 把目标集中在提高材料质量方面来改善GaN紫 针对GaN肖特基结构紫外探测器(n一．GaN／n+- 外探测器的器件性能。但是，器件结构的选择和 GaN)的器件结构参数对器件性能的影响进行了 优化设计对于器件性能的提高也是非常重要的， 系统地研究，在此基础上提出了合理的设计方案。 在某种情况下器件结构的合理选择可以在一定程 模拟计算结果表明：适当地增加肖特基势垒高度， 度上弥补材料质量的不足。从文献报道来看， 可以急剧降