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第6章　集成电路运算放大器 6　集成电路运算放大器 引　　言 集成电路： 　把整个电路中的元器件，制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路，这样的“硅片”，称为集成电路。 集成电路特点：体积小，性能很好。 集成电路分类：模拟集成电路和数字集成电路。 　模拟集成电路：运算放大器、宽频带放大器、功率放大器、模拟乘法器、模拟锁相环、模数和数模转换器、稳压电源、和音像设备中常用的其他模拟集成电路。 此类集成电路中，集成运算放大器(集成运放)应用最为广泛。 本章主要内容： 　　集成运放的基本单元电路及其分析方法(掌握)，典型集成运放及性能指标(了解)，几种专用型集成运放(了解)。 序 1.　模拟集成电路： 　一般是由一块厚度为0.2～0.25mm的P型硅片上，制作成具有一定功能的电路，这样的P型硅片，就称为集成电路。它可分为： 小规模集成电路：十～几十个元件； 中规模集成电路：几十个～几百个元件元件； 大规模集成电路：几百个～几千个元件； 超大规模集成电路：几千个以上元件； 美国预计，到2010年集成度将达到10亿个。 2.　模拟集成电路的特点： (1).　电路结构与元件参数具有对称性； (2).　用有源器件代替无源器件； 如：电阻是由硅半导体的体电阻构成，阻值一般为几十欧～20kΩ,高阻值电阻多用BJT或FET等有源器件组成的恒流源来代替。 (3).　采用复合结构的电路； 多采用复合管、共射－共基、共集－共基等组合电路。 (4).　级间采用直接耦合方式； 电路中的电容不大，约在几十pF，常用PNJ的结电容构成，误差也较大。电感制造更困难，级间都采用直接耦合。 (5).　二极管大都采用BJT的发射结构成。 集成运放的基本单元电路：电流源和差分放大电路。 6.1　电流源电路 1.　镜像电流源 　电路如图6.1.1所示。 　设电路完全对称，即T1、T2的参数完全相同(β1＝β2，ICEO1＝ICEO2，VBE1＝VBE2， IE1 ＝IE2 ，IC1＝IC2)，图中IREF为基准电流。当BJT的β值较大时， IB可以忽略，有： 由于T1管对T2管有温补作用，IC2的稳定性也较好。但由于受电源的影响较大，故要求电源十分稳定。 当β不够大时， IC2 与IREF就存在一定的误差，可采用图6.1.2所示电路。 该电路利用T3的电流放大作用，减小IB对IREF的分流作用，从而提高了IC2与IREF 互成镜像的精度。为了避免T3 的电流过小而使β3下降， T3 的射极常加一电阻Re3，使IE3增大。 适用范围： 　　该电流源适用于工作电流较大的场合(mA级)。 工作电流较小时(μA级)的电流源，应采用微电流源。 2.　微电流源 如图6.1.3所示。 　与图6.1.1相比，在T2的发射极回路串接了一个发射极电阻Re2,当基准电流IREF确定以后，IC2可确定如下： 　　　VBE1－VBE2＝ΔVBE＝IE2Re2 所以， 　　　IC2≈IE2＝ ΔVBE／Re2　 　　　　　　　　　　　　　　　(6.1.2) 由式(6.1.2)可知，利用两管基－射极电压差ΔVBE可以控制输出电流IC2 。由于ΔVBE 的数值小，用阻值不大的电阻Re2，即可获得微小的工作电流，故称之为微电流源。 Re2 一般为数kΩ， IC2 约为μA级。 　例6.1.1多路电流源如图6.1.4所示。已知各BJT的参数β、VBE数值相同，求各电流源IC1、IC2、IC3与基准电流IREF的关系。 　解： 　由 IREF＝ IC＋IB0＝IC＋∑ IB0 ／β 得　　 IC ＝IREF －∑IB0／β 当β较大时， 　　　　 IC≈ IREF 由于BJT的参数β、VBE数值相同，则： IERe≈ IREFRe ＝IE1Re1 ＝ IE2Re2＝ IE3Re3 　(6.1.3) 所以 3.　有源负载 如图6.1.5所示。 T1为放大管，T2、T3组成镜像恒流源，作为T1管的交流负载。由于晶体管c、e间的交流电阻很大，以提高T1管的放大倍数。 6.2　差分放大电路 差分放大电路功能：放大两个输入信号之差。 差分放大电路是集成运放的主要组成单元。如图(6.2.1所示) 式中AVD是差分放大电路的差模电压放大倍数。由式中可以看出， vi1、vi2中所共有的任何信号对输出电压都不会产生影响，但在一般情况下，实际的输出电压不仅与两个信号的差(差模信号)有关，而且与两个信号中的共有信号(共模信号)有关。 1.　差模信号 差模信号：大小相等，极性相反的一对信号，称之为差模信号。可用下式表示： vid＝vi1－vi2　　　 　(6.2.2) 或　 2.　共模信号 共模信号