管理1_半导体器件.pptVIP

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  • 2017-12-01 发布于湖北
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(2*)输出特性 ① 可变电阻区 a. iD几乎正比于uDS ,DS间似乎是 一个线性电阻; b. uGS不同,直线斜率不同, 相 当于电阻值不同; 场效应管的特性呈现为一个由uGS控制的可变电阻。 uGS负电压压过大,uGD电压值过高, PN结反偏电压过高。 a. 各条曲线近似为水平的直线, iD不随uDS变化; b. iD主要取决于uGS 1) ② 恒流区(饱和区) uGS UGS(Off) 的区域, iD=0。 2) 分区 ③ 截止区 ④ 击穿区 预夹断轨迹 uGD= uGS- uDS= UGS(off) ; 左侧: uGD UGS(off); 右测: uGD UGS(off) * (3) uDS0 固定不变,变化的uGS=0 对导电沟道和iD的影响 uGS=0, 耗尽层窄, 沟道宽 (D窄S宽), iD较大, uGS=UGS(Off) 沟道夹断, iD =0 随着uGS 0,且逐渐变小,耗尽层变宽, 沟道变窄,iD将逐渐减小。 改变uGS , 可以改变PN结中的电场, 改变耗尽层厚度, 改变导电沟道宽度, 进而控制iD。 —— 场效应管 * (3*) 转移特性 当uGS=0时,导电沟道电阻最小

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