金属薄膜电迁移uf噪声与uf2噪声统一模型-中国科技论文在线.pdfVIP

第5l卷 第l2期2002年 l2月 物 理 学 报 Vo1．51，No．12，December，2002 1000．3290／2002／5 1(12)／2836—06 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2002 Chin．Phys．Soc． 金属薄膜电迁移uf噪声与uf 2噪声统一模型 杜 磊 庄奕琪 薛丽君 (西安电子科技大学，西安 710071) (2002年2月20日收到；2002年4月23日收到修改稿) 应用晶粒边界自由体积的概念建立了能够统一描述金属薄膜1If噪声与1If 噪声的模型．该模型表明，结构完 整的多晶金属薄膜产生的电噪声为1If噪声，当金属薄膜受到电迁移损伤而形成空洞时就会引入 1If 噪声的成分． 在电迁移应力实验中，观察到金属薄膜 1If 噪声在空洞成核前y约为 1．0，一旦发生空洞成核，即突增至 1．6以上， 这一规律与本模型的预测相符合． 关键词：金属薄膜，llf 噪声，电迁移，自由体积 PACC：7360D，6630Q 2．1．自由体积的定义 1．引 言 金属薄膜中的llf 噪声起源于杂质或缺陷的 随着超大集成电路特征尺寸的不断缩小，由电 随机运动，这些随机运动会改变它们的散射截面，从 迁移效应引起的A1基金属薄膜互连失效问题日益 而引起被散射载流子运动的涨落¨ ．对于多晶态薄 显著n]．近年来发现，金属薄膜的固有 uf 噪声对 膜而言，对载流子散射的主要贡献来自晶粒边 于电迁移过程非常敏感，有可能成为金属互连电迁 界¨。。．材料微观分析和激活能分析表明，金属薄膜 移的一种有效的监测手段 。 ．与传统的以金属互连 的电迁移也主要发生在晶粒边界…．而研究表明，金 电阻为表征参量的电迁移评价方法相比，llf 噪声 属薄膜 llf噪声与 llf 噪声也都起源于晶粒边界， 检测方法具有快速、非破坏性、灵敏度高等优点，因 而且它们的行为与晶粒边界的缺陷运动有关．例如， 此倍受人们关注H ． 文献[13]的作者将 llf 噪声归因于晶粒边界周围 1If 噪声通常用它的功率谱幅度和频率指数 空位扩散的涨落，文献[8]的作者认为 llf噪声是晶 (即)，值)两个参量来表征 ．对于 AJ基金属薄膜， 粒边界空位与原子之间的平衡交换引起的． 实验观察到 )，值的范围为0．8～2．5 ，y1．5的常 从结构上看，晶粒边界与晶粒内部的差别在于 被称为 llf噪声，y1．5的则称为 llf 噪声．在电 离子排列不规则，缺陷多，离子间距疏松，因此在晶 迁移噪声表征方法的研究中，一般认为这两种噪声 粒边界附近的离子运动 自由度更大．为了表征这一 是由不同的物理机理引起的，在电迁移演变过程中 特点，可以给位于晶粒边界的每个离子赋予一个与 y值的变化与金属薄膜微观结构的变化息息相 关 ]．然而，能够将两种噪声联系起来的统一机理 离