第二章硅的晶体结构和硅单晶制备.pptVIP

第二章 硅的晶体结构和 硅单晶体制备 回顾 半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有： 元素半导体（Si Ge） 化合物半导体（GaAs InSb锑化铟） 本征半导体： 不含任何杂质的纯净半导体，其纯度在99.999999%（8~10个9）。 掺杂半导体： 半导体材料对杂质的敏感性非常强，例如在Si中掺入千万分之一的磷( P )或者硼（B），就会使电阻率降低20万倍。 半导体的性质 1、电阻率：10-3---109Ω.cm 导体＜10-3 Ω.cm 绝缘体＞109 Ω.cm 2．导电能力随温度上升而迅速增加 一般金属的导电能力随温度上升而下降，且变化不明显。但硅的导电能力随温度上升而增加，且变化非常明显。举个例子： Cu：30?C ?100?C ?增加不到一半（正温度系数） Si：30?C ? 20?C ?增加一倍 （负温度系数） 3. 半导体的导电能力随所含的微量杂质而发生显著变化 一般材料纯度在99.9％已认为很高了，有0.1％的杂质不会影响物质的性质。而半导体材料不同，纯净的硅在室温下：?＝21400Ω·cm 如果在硅中掺入杂质磷原子，使硅的纯度仍保持为99.9999％。则其电阻率变为：?＝0.2Ω·cm。因此，可利用这一性质通过掺杂质的多少来控制硅的导电能力。 4．半导体的导电能力随光照而发生显著变化 5．半导体的导电能力随外加电场、磁场的作用而发生变化 硅的电阻率与掺杂（载流子）浓度的关系 化合物半导体 化合物半导体由元素周期表中的第Ⅱ族、第Ⅲ族、第Ⅳ族、第Ⅵ族形成。其中用的最多的是砷化镓（GaAs）、磷砷化镓（GaAsP）等。主要用来制作发光二极管和微波器件。 化合物半导体的特点： 1、载流子的迁移率比硅高，这种特性使得在通信系统中比Si器件更快的响应高频微波并有效地把它们转变为电流。 2、抗辐射能力强。 3、制造成本较Si大，而且没有天然的氧化物。 对材料的要求： 由于诸如材料的结构、获得的方法及各自的作用，对他们的要求也不尽相同，对常用的Si、Ge、GaAs其选用的指标主要有： 1、导电类型（P型或N型） 2、电阻率 3、少子寿命 4、晶格的完整性（晶体缺陷要求少于一定数 量） 5、纯度高（对要求以外的其它杂质越少越好） 6、晶向（因为晶体的各向异性，所以不同的器 件要求的晶向不同） 2.1 硅的晶体结构 晶体结构？如何形成？ 晶体分类？晶体，非晶体区别？ 晶列？晶向？如何表示？ 2.1 硅的晶体结构 物质分为晶体(单晶，多晶)和非晶体 单晶体是由原子或分子在空间按一定规律周期性地重复排列构成的固体物质。 （1）一种物质是否是晶体是由其内部结 构决定的，而非由外观判断； （2）周期性是晶体结构最基本的特征 多晶体：小区域内原子周期性排列，整体不规则 非晶体：原子排列无序 非晶體結構 多晶態結構 單晶態結構 晶体的特点 1）均匀性,原子周期性排列. 2）各向异性,也叫非均质性.(各个方向上物理和化学性质不同) 3）有明显确定的熔点 4）有特定的对称性 5）使X射线产生衍射 晶面和晶向（晶列） 晶面： 通过晶体中三个不在同一晶轴上的三个质点所作的平面 晶向： 通过晶体中任意两点所做的直线，叫晶向。 2）晶向指数 2.2晶体中的缺陷和杂质 缺陷分类——点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷 一 点缺陷 点缺陷又分为空位，间隙原子，外来杂质原子，肖特基缺陷，弗伦克尔缺陷 矽晶體缺陷的說明 位错的基本类型 1. 刃型位错(棱位错) 特点:位错线垂直滑移方向 2.螺位错: 特点:位错线平行滑移方向  三 面缺陷 体缺陷 层错: 原子层排列错乱引起的一种大范围的缺陷 体缺陷 在晶体中掺入杂质时，当掺入的含量超过晶体可以接受的浓度时，杂质在晶体中沉积，形成体缺陷 2.3 硅单晶的制备 制备原材料－－多晶硅（polysilicon） 多晶硅按纯度分类可以分为冶金级（工业硅）、太阳能级、电子级。 1、冶金级硅（MG）：是硅的氧化物在电弧炉中被碳还原而成。一般含Si 为90 - 95% 以上，高达 99.8% 以上。 2、太阳级硅 (SG)：纯度介于冶金级硅与电子级硅之间，至今未有明确界定。一般认为含Si在 99.99 %– 99.9999%（4～6个9）。主要用于太阳能电池芯片的生产制造 3、电子级硅（EG）：一般要求含Si 99.9999 %以上，超高纯达到99.99