第六章CMOS集成电路地IO设计.PDFVIP

第六章 CMOS集成电路的I/O设计 微电子学系 甘学温教授 CMOSCMOS集成电路的集成电路的I/OI/O设计设计 66.11 输入缓冲器输入缓冲器 6.2 输出缓冲器 6.3 ESD保护电路 输入端ESD保护电路 输入端ESD保护电路 输出端ESD保护电路 电源的ESD保护电路 6.4 三 态输出的态输出的双向向I//O 缓冲缓冲器 ESDESD保护电路保护电路 如果果 MOS 晶体管的栅氧晶体管的栅氧化层层上有很大的电压有很大的电压，， 会造成氧化层击穿，使器件永久破坏 随着器件尺寸减小，栅氧化层不断减薄，氧化层 能承受的电压也不断下降能承受的电压也不断下降 tox ＝5nm时，VGm =5V 由于MOS晶体管的栅电容很小，积累在栅极上的 杂散电荷就能形成很大的等效栅压杂散电荷就能形成很大的等效栅压，引起器件和电引起器件和电 路失效，这就是ESD 问题（Electrostatic Discharge） ESDESD保护电路保护电路 某一个输入（或输 ESD应力的四种模式 出）端对地的正脉 冲电压（PS） 某一个输入（或输 出）端对地的负脉 冲电压（NS） 某一个输入或输出 端对VDD 端的正脉 冲电压（PD） 某一个输入或输出 端对VDD 端的负脉 在芯片的输入和输出端增加在芯片的输入和输出端增加ESDESD保护电路保护电路 冲电压（ND） 输入端输入端ESDESD保护电路保护电路 双二极管保护电路 PS：D2击 穿穿 NS：D2导通 PDPD ：D1D1导通导通 ND：D1击穿 栅极电位钳制在栅极电位钳制在 −00.7V7V VV VV ++00.7V7V G DD 输入端输入端ESDESD保护电路保护电路 对深亚微米CMOS集成电路，栅氧化层的击穿电 压很小压很小 ，，常规二极管的击穿电压较大常规二极管的击穿电压较大，，不能起到不能起到 很好的保护作用。因此可以增加离子注入提高二 极管衬底浓度，来降低二极管的击穿电压 输入保护电路和电平转换电路结合起来就构成实 输入保护电路和电平转换电路结合起来就构成实 际的CMOS集成电路中常采用的输入缓冲器结构 输入端输入端ESDESD保护电路保护电路 用场区MOS管作输入保护 输入端有较大的正脉冲电压时场区MOS管导通， 使ESD电流旁路 用