晶体管及其基本放大电路.ppt

晶体管即半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor,简称BJT）。 双极型晶体管BJT是由两个PN结组成的。 2.1.2 晶体管的三种连接方式 为了发挥晶体管的电流控制作用，把晶体管接入电路时必须涉及两个回路：一个是控制电流所在的输入回路，另一个是受控电流所在的输出回路。晶体管有三个电极，因此在组成放大电路时必有一个电极作为输入端，另一个电极作为输出端，第三个电极作为输入、输出回路的公共端。 2.1.2 晶体管的三种连接方式 根据所选择的公共端e、c、b的不同，晶体管在电路中分别有三种不同的连接方式 2.1.3 晶体管的工作状态 晶体管在电路中工作时，依据其两个PN结的偏置情况不同， 工作状态可分为三种： 放大状态 饱和状态 截止状态 1. 放大状态（发射结正向偏置、集电结反向偏置 ） ② 共基直流电流放大系数 (3) 晶体管的放大作用 电流放大作用的实质是通过改变基极电流IB的大小，达到控制IC的目的，而并不是真正把微小电流放大了，因此，晶体管称为电流控制型器件。 定义 ：保持工作点处UCE不变，集电极电流变化量与基极电流变化量之比，称为共发射极交流电流放大系数。即 定义 ：保持工作点处UCB不变，集电极电流变化量与发 射极电流变化量之比，称为共基极交流电流放大系数。 即 2. 饱和状态 (发射结正向偏置、集电结正向偏置) 集电极电位低于基极电位，集电结正向偏置，不利于集电极从基区收集非平衡少数载流子，从发射区扩散到基区的非平衡少子在基区复合的数量增大，而进入集电区的数量减少，集电极电流不再随基极电流的增大而增大，基极电流失去了对集电极电流的控制作用（晶体管失去了放大能力），集电极电流好像饱和了。 2. 饱和状态 (发射结正向偏置、集电结正向偏置) 3. 截止状态 （发射结反向偏置、集电结反向偏置） 晶体管发射结反向偏置或零偏(UBE≤0)，集电结反向偏置(UBC＜0），不利于发射极多数载流子的扩散运动，发射极电流几乎为零，此时，集电极流过反向饱和电流IC=ICBO， 基极电流： IB= –ICBO， ICBO很小可忽略不计，认为晶体管处于截止状态。 分析 ① 工作于放大状态的晶体管，发射结正向偏置、集电结反 向偏置，有：NPN管UC＞UB＞UE，PNP管UC＜UB＜UE 基极电位总是居中，据此可确定基极； ② 硅管UBE的约为0.6~0.8V、锗管的UBE约为0.2~0.4V， 从而可判断出与基极相差这一数值的电极为发射极， 并由这一差值大小判断是硅管还是锗管； ③ 余下一个电极为集电极。 ④ 集电极电位最高的为NPN管，集电极电位最低的为PNP 管。 【例2-2】 测得工作在放大状态的晶体管两个电极的电流 如下图 所示。 (1) 求另一个电极的电流，并在图中标出实际方向。 (2) 标出e、b、c极，并判断出该管是NPN管还是PNP管。 (3) 若ICBO均为零，试求 及 的值。 【解】：① 晶体管三个电极的电流关系为： 其中 最小、 居中、 最大；② 工作于放大状态时，对于 NPN 管： 流出晶体管， 、 流入晶体管。对于PNP管： 流入晶体 管， 、 流出晶体管。标出的电流方向及管子类型如下： 现以iB=30uA一条加以说明。 2.1.5 晶体管的直流模型 三极管极间反向电流的测量 【例2-3】 晶体管VT的特性曲线如下图所示，在其上确定PCM、ICEO、U(BR)CEO。在如下电路中，当开关S接在A、B、C三个触点时，判断晶体管VT的工作状态，确定UC