第五章-集成电路工艺原理.pptVIP

集成电路工艺原理 复旦大学微电子研究院 2004.8 第九章 刻蚀(Etching) 刻蚀的主要内容：以化学反应或物理作用的方法把经曝光、显影后光刻胶图形中下层材料的裸露部分去掉，即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形； 与刻蚀性能相关的几个品质因素 图形转移的保真度主要取决于刻蚀的选择性和方向性 刻蚀的方向性(directionality) 选择性由化学反应决定;方向性由物理过程决定 Selectivity comes from chemistry; directionality usually comes from physical processes. §9.1 VLSI对图形转移的要求 2 刻蚀的选择比(Selectivity) 过腐蚀 overetch ULSI对腐蚀的要求 §9.2 湿法腐蚀 1，腐蚀不同的材料需要采用不同的腐蚀剂； 2，湿法腐蚀的反应产物必须是气体或能溶于腐蚀液的物质，否则会造成反应产物的沉淀从而影响腐蚀过程的正常进行； 3，一般说来湿法是各向同性的腐蚀；在特定溶液和材料的条件下可显现为沿一定晶面的选择性腐蚀； 4，反应过程常伴有放热和放气，影响刻蚀质量； 5，湿法腐蚀工艺本身的局限性，使得在特征尺寸小于3微米的工艺中很少采用； SiO2腐蚀时对温度最敏感，温度愈高，速率愈快，腐蚀时必须严格控制温度(一般在30－40℃)； 腐蚀液的搅动方式对SiO2的腐蚀速率也有影响 2 Si3N4的腐蚀 3 Si 的湿法腐蚀 4 铝腐蚀 湿法腐蚀存在的主要问题 §9.3 干法刻蚀( Dry etching ) 一 等离子体刻蚀的基本分类 2 反应离子刻蚀(RIE) 二 等离子体刻蚀与反应离子刻蚀的区别 2 反应离子刻蚀时，硅片放在反应室内的功率电极上，且两个电极的面积不等； 等离子体刻蚀时反应室的压力在13－133Pa；反应离子刻蚀时反应室的压力在0.13－13Pa； 三 气体等离子体的产生过程及其腐蚀作用 例如，CF4是相当惰性的气体，它不与硅反应，但当放电时， CF4中的一种产物F（氟游离基），它与硅反应形成挥发性的SiF4,, 所以常常用它来腐蚀硅； 四 常用材料的等离子刻蚀原理与工艺 2 Si/SiO2的刻蚀选择比 (2) CF4+H2刻蚀 3 铝的刻蚀 (3)沾污对铝刻蚀的影响 反应产物的沾污 4 难熔金属硅化物的刻蚀 平板型反应离子刻蚀系统俯视和侧面图 六角型反应离子刻蚀系统俯视和侧面图 反应离子刻蚀系统的特点： 产生的等离子体的平均自由程大大提高； 增大了从等离子体到功率电极(阴极)的电压差和离子撞击能量； —— 提高了刻蚀速率，获得了各向异性刻蚀的功能，成为一种同时具备有高选择性和各向异性刻蚀双重优点的刻蚀技术 等离子体刻蚀装置通常采用13.56MHz的射频电源，以电容或电感耦合方式放电； 在放电过程中，除了形成电子与离子之外，还可产生激发态的分子、原子及各种原子团，这些东西统称为游离基。游离基具有高度的化学活性，正是它们与被腐蚀材料的表面发生化学反应形成挥发性的产物，使材料不断被腐蚀； 例如，O2在室温下不显著侵蚀光刻胶，但原子氧的产生迅速地转变胶为CO，CO2和H2O的附产物, 所以常常用它来腐蚀光刻胶； 1 硅、多晶硅、Si3N4和SiO2的等离子刻蚀 一般用CF4、SF6等氟基化合物作为腐蚀气体； 在放电过程中CF4介离成F*和CF3、CF2和CF等，游离基F*的化学活性最高，很容易与硅、多晶硅、Si3N4和SiO2等物质发生化学反应，其反应过程为： CF4→CF3+F* ；CF3→CF2+F* ；CF2→CF+F* ； Si+4F*→SiF4↑； SiO2+4F*→SiF4↑+O2↑； Si3N4+12F*→3SiF4↑+2N2↑； 实验发现，调整CF4等离子体对Si/SiO2的选择比的方法，主要是控制等离子气体的组成； Si和SiO2的刻蚀速率随CF4 中加入的O2含量的变化 (1) CF4+O2刻蚀 由图可见，CF4+O2 等离子体对SiO2和Si的刻蚀速率均增加，尤其对Si的刻蚀速率增加更迅速；但当氧气含量高于一定比例之后，则腐蚀速率下降； 机理：除了氧可以抑止F原子在反应器壁上的损耗外，并能作为一种反应剂形成激活态的氟氧活性剂： 式中，COF* 寿命较长，当它运动到硅片表面时发生如下反应： COF*→F*+CO 4F*+Si→SiF4 则在反应过程中，生成的含氧化合物将消耗许多等离子体中的C原子，使得CF4等离子体内的F原子数对C原子数的比例上升，导致刻蚀速率的增大； 当氧含量太高之后，CF