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LED的特性研究摘 要：发光二极管是一种半导体发光器件，本实验主要研究发光二极管的伏安特性、光电转换效率、光谱特性和光强空间分布特性，对发光二极管有个全面的基本认识。关键词：发光二极管；伏安特性；光谱特性；光电转换效率；半值角Abstract：Light emitting diode, is a luminous semiconductor. In this experiment, we mainly research the volt-ampere characteristics, electro-optical efficiency, spectral characteristics, and the characteristic of light intensity’s spatial distribution to get a total understanding of light emitting diode.Key words：light emitting diode; volt-ampere characteristics; spectral characteristics; electro-optical efficiency; half-value angle引言LED，即Light Emitting Diode（发光二极管）的缩写，它是一种半导体发光器件，由于其能耗低、寿命长等特点，现多用于照明、显示屏等场合。本实验要求对LED的电学和光学的特性进行研究。实验原理1.LED的发光原理LED是利用半导体PN结或类似结构把电能装换成光能的的器件，LED芯片通常用Ⅲ-Ⅴ族化合物（如GaAs、GaP或GaN等）材料作衬底，其核心是PN结。高纯半导体材料的电阻率很高，如果在里面进行掺杂，就能改变其导电性，例如，在Ⅴ族元素硅中掺杂V族元素砷，就形成导带中具有电子的N型材料：在硅中掺入Ⅲ族元素镓，就能形成价带中有空穴的P型材料：若在硅晶体中一般掺杂砷，另一半掺杂镓，则在两半之间的边界上形成一个PN结。跨过此PN结，电子从N型材料扩散到P区，而空穴则从P型材料扩散到N区，如图1所示。这种发光也称为注入式发光，这个过程被称为无辐射过程。 图 1 LED的工作原理 为了提高LED的发光效率，应尽量减小产生无辐射复合中心的晶格缺陷和杂质浓度，减少无辐射复合过程。虽然不同材料制备的LED芯片结构不同，发出的光色和发光情况，但基本原理相近。LED因其使用的材料不同，其中电子和空穴所占的能级也有所不同，能级的高低差影响电子和空穴复合后光子的能量，从而产生不同波长的光，其大小与半导体材料的禁带宽度有关。而且两者近似满足关系式： 其中A为发射光的波长，E 为禁带宽度，h为普朗克常量，c为光速．故不同材料制成的发光二极管相应发出不同颜色的光。 图 1 LED的工作原理2.LED的基本结构及图形符号： 传统的LED的基本结构如图2(a)所示。LED芯片被固定在导电、导热的带两根引线的金属支架上，有反射杯的引线为阴极，另一根引线为阳极。芯片外围封以环氧树脂（帽），一方面可以保护芯片， 另一方面起聚光作用。 图2 LED及其芯片结构 LED芯片是LED器件的核心，其结构如图2（b）所示。LED芯片为分层结构：芯片两端是金属电极；底部为衬底材料；当中是由P型层和N型层构成的PN结；发光层被夹在P型层和N型层之间，是发光的核心区域。P型层、N型层和发光层是利用特殊的外延生长工艺在衬底上制得的。在芯片工作时，P型层和N型层分别提供发光所需要的空穴和电子，它们被注入到发光层发生复合而产生光。 LED的图形符号如图 3 所示 图 3 LED的图形符号3.发光二极管的电学特性参数LED的电学特征参数主要包括正向电流IF，正向电压VF，反向电流IR和最大反向电压VR，这是衡量一个LED是否能够正常工作的最基本的判据。从电参数方面来看，正向工作电流是发光二极管正常发光时的正向电流值，LED必须是在P-N结正向偏置的条件下工作，这时的出射光的能量是正向电压V和正向电流I的函数，而且LED的光辐射主要取决于通过P-N结的电流，但LED的P-N结中的过大的电流密度会引起部分过热从而破坏LED管芯的晶格结构，超过最大结温，会造成LED毁损的灾难性的后果，因而必须限制通过LED的驱动电流。正向工作电压是在给定正向工作电流情况下得到的器件的电压值。最大反向电压VRm为器件允许加的最大反向电压，超过此值，器件可能被击穿。4.LED的伏安特性LED是利用半导体材料制成p-n结发光器件，电学特性是衡量LED性能的主要物理量，它包括正向电压、反向饱和电流以及伏安特性等，这些物理量反映了LED的内部结构的变化和质量水平的高低。图 4 所示为LED工作的电流一电压(I-V)特性