第七章 薄膜.pptVIP

* 五） 金属陶瓷电阻薄膜 1.铬-一氧化硅电阻薄膜 Cr-SiO薄膜电阻，常用真空蒸法或反应溅射的方法制得。 图示出了反应溅射的Cr-SiO电阻薄膜的电阻率、电阻温度系数与Si含量的关系。 * 从图中可看出淀积速率对电导率和电阻温度系数的影响是非常大的。 * 基片温度升高有利晶粒的生长，有利基片上蒸发的粒子迁移至更稳定的位置，有利于排出剩余的气体，其结果可得到较高的电导率和小的负的电阻温度系数。 * 随着膜厚增加，方阻近似于指数式地减小。在120nm时曲线趋于平坦。 对于同样厚度，陶瓷基片上Cr-SiO膜方阻比玻璃基片上Cr-SiO膜高3到5倍。 因为陶瓷基片比玻璃基片表面更粗糙。 * 2.钛-二氧化硅薄膜 下图示出了Ti-SiO2薄膜的电阻率和电阻温度系数与成分的关系。SiO2面积为10—50%时，电阻率、电阻温度系数变化平缓；面积比小于10%或大于50%时，电阻率和电阻温度系数变化稳剧； * 随着电阻率增大，电阻温度系数从正值变到负值。 当电阻率比较低时，该膜的导电可以视为Ti金属的连续膜导电，所以电阻温度系数成正值。 * 六 铬-硅电阻薄膜 ?铬-硅（Cr-Si）电阻薄膜是片式元件和混合集成电路中常用的薄膜电阻材料。它具有电阻率高、电阻温度系数小、稳定性好的特点。 该膜常用真空蒸发和溅射方法制成。 真空蒸发时，将Cr粉（99.99%）和Si粉（99.99%）混合。粒度为200目左右。 溅射时，将高纯的Cr粉和Si粒压成CrSi靶，用直流等离子溅射成膜。 * * 七） 钽基电阻薄膜 钽基电阻薄膜是指钽的化合物和合金薄膜。 钽是一种阀金属，它能与空气中氧、氮作用形成Ta2O5、TaN等化合物，与硅、铝等形成合金。 这类薄膜性能稳定。 利用钽不仅可以作成电阻，而且可以作电极和介质，因此钽基薄膜被广泛用于制作钽基薄膜集成电路。 * 1.氮化钽膜 氮化钽(TaN)薄膜是Ta和N反应而生成的钽的化合物，该薄膜具有电阻温度系小，稳定性高的中低阻薄膜，常用于制作精密薄膜电阻器。 通常将高纯的（99.99%）钽板作为靶材，通入高纯（99.99%）氮气进行反应溅射得到氮化钽电阻薄膜。 * 溅射电流和溅射电压对氮化钽薄膜结构和性能有影响。 下图示出了溅射电压对氮化钽TCR的影响。从图中可以看出随着溅射电压增加，TCR减小，并逐渐由负趋近于零。 * 为了提高氮化钽薄膜的稳定性和降低电阻温度系数，常对溅射的薄膜马上进行真空热处理。 由此可以得到接近于零的电阻温度系数。 * 氮化钽薄膜也可用化学汽相淀积（CVD）法制得，同样也可制得钽膜，其反应过程为： * 2.钽铝合金薄膜 钽铝合金薄膜是用高纯的Ta和Al制成复合靶材，通过改变铝的面积采用溅射方法得 到不同组分的TaAl膜。这种薄膜的特点是，稳定性高，温度系数小可达±30ppm/℃，方阻可调范围宽。 * TaAl合金薄膜中Al含量不同，电阻率和电阻温度系数将随之而变，如下图所示： * 2.钽铝合金薄膜 钽铝合金薄膜是用高纯的Ta和Al制成复合靶材，通过改变铝的面积采用溅射方法得到不同组分的TaAl膜。 这种薄膜的特点是，稳定性高，温度系数小可达±30ppm/℃，方阻可调范围宽。 TaAl合金薄膜中Al含量不同，电阻率和电阻温度系数将随之而变。 * 图示出Al含量对薄膜结构的影响。从图中可知，在Al含量为66at%附近时，TaAl薄膜的电阻率出现高峰。 当Al含量为20-45at%时，电阻率变化平缓，其值为220Ω·cm。 * 3.钽硅合金薄膜 钽硅薄膜是用钽、硅共溅射法，或钽和硅烷在氩气中反应溅射制得。 该薄膜是一种高温电阻薄膜、电阻率高、高温稳定性好，特别适宜作高温稳定的精密薄膜电阻器。 钽硅薄膜的性能与Si含量有关。 * 当Si含量小于13at%时，TaSi薄膜结构从βTa变到（β+α）Ta。 在10at%时出现立方结构的微晶。 当Si含量为13at%时，薄膜结构中出现金属互化物，即Ta5Si3微晶结构。 Si 含量大于70at%，薄膜结构完全为无定型。 Si含量在13-75at%范围内，电阻率为240~300μΩ·cm。 Si含量大于75at%时，电阻率急剧增大 * 钽硅薄膜的性能与Si含量有关如图 * 热处理对TaSi薄膜的电阻率有较大的影响。 如图所示，随着热处理温度升高，薄膜的电阻率减少，逐渐趋于平坦。 * 八） 复合电阻薄膜 复合电阻薄膜是由不同薄膜迭合构成的电阻薄膜。 这种复合电阻薄膜的优点就是可通过组合克服单层薄膜的电阻温度系数大、稳定性差的缺点。 如一层正电阻温度系数的薄膜与一层具有负电阻温度系数的薄膜复合，其TCR可以相互补偿，所以复合薄膜电阻可以得到优异的性能。 * 1.镍铬—氮化钽复合薄膜 将NiCr和Ta2N膜进行复合，可制得?R（TCR）