强流离子源探针能量沉积研究.PDF

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强流离子源探针能量沉积研究

第 30 卷 第 1 期 核 聚 变 与 等 离 子 体 物 理 Vol.30, No.1 2 0 1 0 年 3 月 Nuclear Fusion and Plasma Physics March 2010 文章编号:0254−6086(2010)01−0090−04 强流离子源探针能量沉积研究 谢亚红,胡纯栋,刘 胜,刘智民 (中国科学院等离子体物理研究所,合肥 230031) 摘 要 :分析了朗缪尔探针在等离子体测量过程中的功率沉积密度,并初步计算了探针的温升,为强流离子 源的探针诊断提供指导。 关键字:朗缪尔探针;离子源;功率沉积 中图分类号:O531 文献标识码:A 1 引言 子会向探针移动,电子具有较小的质量,因此其热 离子源是中性束注入器的关键部件之一,随着 速度大于离子,到达探针的数目多于离子,最终在 中性注入器的发展,对离子源的研究也越来越多。 探针前形成离子鞘层,使电子和离子到达探针的数 [2] 朗缪尔探针是离子源等离子体诊断的主要手段之 目相等 。通过给探针加载偏置电压,改变探针收 一,具有结构简单、容易加工、原理简明等特点, 集电子和离子的数目可以获得探针的伏安曲线[3] , 可测量等离子体电子温度、电子密度和等离子体空 如图 2 所示。 间电位等多个参数。探针在深入到等离子体内部时 从图 2 可知,探针伏安曲线分为三段,左边的 会受到等离子体中的辐射和带电粒子的轰击,因此 饱和离子流区,中间的过渡区和右边的饱和电子流 有较高的能量沉积。尤其在稳态运行的强流离子源 区。在饱和离子流区,探针加载较大的负偏压,在 诊断中,需要对能量沉积密度进行计算,并采取一 探针表面形成离子鞘层,排斥电子,吸收离子,可 定的保护措施,否则探针很容易损坏。 以认为到达探针上的都是离子,探针收集的电流称 为饱和离子流: 2 朗缪尔探针的结构和测量原理 I 2 =×10−15 n S kT (1) io e e 朗缪尔探针的结构及测量示意图如图 1 所示, 式中,ne 为等离子体密度;k 为波尔兹曼常数;Te 主要部件包括探针杆和探针套。探针杆一般采用熔 为等离子体电子温度,kTe 以 eV 为单位;S 为探针 点较高的纯钨或者纯钼材料,探针套套在探针杆 的收集离子的有效表面积。 上,使探针杆只露出一小端,成为探针头。在早期, 探针套一般采用石英玻璃、氧化铝陶瓷等绝缘材 料,探针偏置电压和探针信号通过探针杆传输出 去。在现有的强流离子源中,为了克服绝缘材料熔 点低的缺点,多数探针在绝缘材料外面套上不锈钢 等高熔点材料。根据测量的要求,后又出现双探针 和多探针以及可移动探针等,满足测量不同参数以 及空间分布的要求[1] 。 当探针深入到等离子体中,等离子体电子和离 图 1 简单静电探针测量示意图 收稿日期:2009−06−27 ;修订日期:2009−12−15 基金项目:国家自然科学基金资助项目 作者简介:谢亚红(1

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