玻璃衬底沉积氮化硅薄膜性能研究-哈尔滨工程大学学报.PDFVIP

第30卷第11期 哈尔滨工程大学学报 V01．30№．1l ofHarbin Nov，2009 2009年11月 Joumal En矛neeringUniversity doi：10．3969／j．issn．1006—7043．2009．11．023 玻璃衬底沉积氮化硅薄膜性能研究 张广英1，吴爱民1，秦福文1，姜辛1’2 (1．大连理工大学三束材料改性实验室，辽宁大连116024；2．德国锡根大学材料工程学院，德国锡根57076) 摘要：为了改善玻璃衬底上制备的薄膜太阳电池的转换效率。采用高纯氮气作为等离子体气源，以质量分数为5％的 SiH。(Ar稀释)作为前驱气源，利用电子回旋共振一等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上低温制备了氮化硅薄 膜；利用各种测试设备分析了薄膜的成分、光学性能和表面形貌．结果表明：实验制备的非晶薄膜含氢量较低；薄膜的折 射率随着衬底温度和微波功率的增加而增加．在衬底温度为350℃、微波功率为650 w时，薄膜的折射率在2．O左右，平 均粗糙度为1．45nm，还说明薄膜具有良好的光学性能和较高的表面质量．在此条件下，薄膜的沉积速率达到 10．7 nH∥min，表明本实验能在较高的沉积速率下制备均匀、平整、优质的SiN薄膜． 关键词：氮化硅；EcR—PEc￥D；减反射膜；低温 中图分类号：TB34文献标识码：A文章编号：1006-7043(2009)11．133l硝 ofsiliconnitridefilm on ImproVingemciency depositiongIass ZHANG Xinl2 Fu—wenl，JIANG Guang—yin91，WUAi．minl，QIN Mat甜alsModi6cation Electron of ll (1．Lab．of L舶er，Ion锄d Beams，Dalian by UniversityTechnology，Dalian6024，China； 2． InstituteofMaterials Unive糟ity，Siegen57076，Ge珊any) Engineering，siegen thin orderto for filmsolarcellson nit“de Abstmct：InimproVemanufacturinge侬ciency glasssubstrates，silicon filmwas electron enhancedchemical depositedby cyclotronresonance—plasma vapor low 0n substrate．Purewasusedasthe temperaturea—ass njtrogen plasmagas，andsilane(Ar Resultsshow 鹊the thatunifo珊siliconnitridefilmwithlow contentcanbe ata precursorgas． hydrogen depos