电子技术第2版福州大学李少纲电子课件第1章节半导体器件.pptVIP

3、晶体管内电流的分配关系 IC = ICE+ICBO ? ICE IB = IBE- ICBO ? IBE :称为共发射极直流电流放大倍数 IC = ICE+ICBO IB = IBE- ICBO 当基极开路（IB=0）时，集电极电流为： ICEO称为集电极与发射极间的反向饱和电流，也称为集电极发射极间的穿透电流。 通常ICEO很小，所以 上式表明，晶体管的集电极电流IC受控于其基极电流IB，用较小的基极电流可以控制较大的集电极电流，这就是晶体管的电流放大作用。 4、晶体管的放大作用 （1）输出电流变化量△IC比输入电流变化量△IB大 倍，可得到电流放大； （2）输出信号电压 ，可得到电压放大； （3）输出信号功率大于输入功率 第四节 晶 体 管 三、 特性曲线 晶体管特性曲线是表示晶体管各极间电压与电流之间的关系曲线，最常用的是共发射极接法时的输入、输出特性曲线。这些特性曲线可用晶体管特性图示仪直观地显示出来，也可以通过实验电路进行测绘。 1、输入特性曲线 输入特性是指当晶体管集电极与发射极电压UCE保持不变时，基极电流IB与基射极之间电压UBE的关系。 0.4 0.2 80 40 0.8 0.6 20 60 UCE=0V UCE1V UBE/V IB/μA （1）当UCE =0 时，相当于两个PN结并联，此时的输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线相似； （2）当UCE0 时，输入特性曲线将向右移，即在UBE一定时，IB将随着UCE的增大而减小。 （3）当UCE≥1V时，输入特性曲线重合. （4）存在一段死区 当发射结电压大于死区电压时，才会有电流iB。 输入特性曲线 2、输出特性曲线 输出特性是指当基极电流IB为常数时，输出电路集电极电流IC与集射极电压UCE之间的关系。 IB一定时，当UCE很小时，集电结的反向电压很小，对发射区扩散到基区的电子吸引力不够，故IC很小。 IC随UCE的增加显著增加。当UCE≥1V时，电子绝大部分被拉入集电区，所以UCE再增大，IC也无明显变化。 通常输出特性曲线分为三个区： （1）截止区 IB＝0曲线以下的区域，uBE＜0.5V晶体管截止，可靠截止uBE ≤0V；发射结反偏，集电结反偏。 （2）放大区 输出特性曲线近于水平部分的区域，也称为线性区。在放大区， ， IB和IC成正比的关系。发射结正偏，集电结反偏。 在特性曲线靠近纵坐标轴的区域，此时UCE ＜ UBE ，发射结正偏，集电结正偏。 （3）饱和区 RB EB EC=UCC RC IB IC UBE UCE + + - - B C E EC一定，如果增大IB，IC随之增大，RC上的压降也增大，UCE相应减小。 当UCE下降到接近甚至低于UBE时，集电结由反偏转为零甚至正偏，集电结失去收集电子的能力，这时IC将不再随IB的增大而增加，这种现象称为饱和。 深度饱和时， 例1-4 图示电路中，设晶体管的电流放大系数 =50，UBE=0.7V，EC=12V，RC=6kΩ，RB=50kΩ。当UI= －2V、6V和2V时，试判断晶体管的工作状态。 RB EC RC IB IC UCE + - UI + - V 解： （1）当UI=－2V 发射结处于反偏，晶体管处于截止状态，IB=0，IC=0，UCE=EC （2）当UI=6V 发射结处于正向导通 RB EC RC IB IC UCE + - UI + - V 基极临界饱和电流为： IBIBS，晶体管处于饱和状态。 （3）当UI＝2V 晶体管工作在放大状态。 四、晶体管主要参数 1. 电流放大系数，? 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 直流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 交流电流放大系数 例1-5 在下图中所给出3DG100晶体管的输出特性曲线上，（1）计算Q1点处的 ；（2）由Q1和Q2两点，计算 。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 Q1 Q2 1.5 2.3 解： （1）在Q1点处 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 Q1 Q2 1.5 2.3 （2）由Q1