选择性发射极晶体硅太阳电池的二维器件模拟及性能优化.pdfVIP

物 理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．6(2014) 068801 选择性发射极晶体硅太阳电池的二维器件 模拟及性能优化冰 贾晓洁 ) 艾斌 )十 许欣翔2) 杨江海2) 邓幼俊 ) 沈辉 ) 1)(中山大学，光电材料与技术国家重点实验室，广东省光伏技术重点实验室，广州 510006) 2)(南玻集团太阳能事业部研发中心，东莞 523141) (2013年 11月9日收到；2013年 11月29日收到修改稿 ) 利用PC2D二维模拟软件对选择性发射极晶体硅太阳电池 (SE电池)进行了器件模拟和参数优化的研 究．在对丝网印刷磷浆法制备的SE电池的实测典型电流一电压 曲线实现完美拟合的基础上，全面系统地研究 了栅线、基区、选择性发射区和背表面场层等的参数对 电池性能的影响．模拟表明：基区少子寿命、前表面复 合速度和背表面复合速度是对 电池效率影响幅度最大的三个参数．在所研究的参数范围内，当基区少子寿命 从5O 上升到600 时，电池效率从 18．53％上升到19．27％．低的前表面复合速度是使发射 区方块 电阻配 比优化有意义的前提．要取得理想的电池效率，背表面复合速度需控制在500cm／s以下．此外，对于不同的 前表面复合速度，电池效率 的最大值总是在50—90Q／口的重掺 区方阻、l10 180Q／口的轻掺 区方阻的范围 内取得．对不同的栅线数 目，重掺区宽度与栅线间距之比为32％时，电池的效率最高．另外，在主栅结构保持 较低面积比率的前提下，主栅数 目的增加也可提高效率．最后，通过优化P型SE电池的效率可达到20．45％． 关键词：选择性发射极，PC2D器件模拟，参数优化，太阳电池 PACS：88．40J．J，88．30．gg，88．40．hj，88．10．gc DOI：10．7498／aps．63．068801 加生产成本 f只需增加一台印刷磷浆的丝印机)即 1 引 言 可在常规均匀发射极fHE)电池的基础上获得0．5％ 的效率提升．目前，南玻公司使用该方法制备的 选择性发射极 fselectiveemitter，SE)是在 电 SE电池效率在 19．0％左右，与 19．5％[2】的SE电池 池正面栅线位置形成高掺杂深扩散区，在其余钝化 效率的国际先进水平仍有一定的差距． 区域形成低掺杂浅扩散区的结构．由于SE结构改 器件模拟因具有大幅缩短研究周期、显著降低 善了栅线与发射极之间的接触，并且降低了发射区 研发成本和获得更多电池 内部信息等方面的优势， 的俄歇复合，SE太阳电池可 以获得更高的填充因 成为了研发过程 中不可或缺的重要技术手段 [3-5】． 子 (FF)和短路电流 (。)1【J． 由于HE电池仅在垂直于 电池平面的方向上具有不 SE电池因其具有与现有晶体硅太阳电池制备 技术兼容性好、提升效率明显等优势，成为 国际光 均匀性，因此可以使用例如PC1D等的一维模拟软 伏学界近年来的研究热点，同时也是光伏工业未来 件来进行器件模拟 6【】．但是SE电池具有电池平面 五年进行技术升级改造最现实、最可靠的选择之一． 方向上的不均匀性，所 以必须使用二维或三维器件 在众多的制备SE电池的技术中，丝网印刷磷浆法 模拟软件才能对SE电池进行准确的计算机模拟． 可能是最有前途的产业化技术之一，它无