数字射频收发模块原理与设计 - 有源电子元器件.ppt

通过判断输入端与输出端的符号关系 发射结正偏，发射区向基区发射(扩散)电子，形成电流Ien；另外，P区的多子：空穴发生扩散，形成Iep；Ie=二者相加。 电子在基区与空穴复合，形成电流Ibn ，复合机会小， IB小 集电结反偏，扩散到基区的电子被收集(漂移)到集电区形成IC ，收集能力强， Icn大，另外由于反偏，电场由上到下( 不一定 )：少子漂移形成：Icbo，比较小。 Ie = Ien + Iep = Icn + Ibn + Iep Ic = Icn + Icbo Ib = Ibn + Iep - Icbo ③：两两对应的Ic与Ib得到的deltIc与deltIb的比值近似不变。 三极管的放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流。 三极管的输入特性也有一段死区，只有在发射结外加电压大于死区电压时，才会产生 ib。 Uce=0时，Ube0的话，此时，Ubc0，发射结和集电结均正偏，Ib是发射区和集电区分别向基区扩散的电子电流之和。相当于两个二极管正向并联的特性。 Uce1V时，Ube0 (~0.5V)，发射结正偏，集电结反偏，发射区注入到基区的电子绝大部分扩散到集电结，只有一小部分与基区的空穴复合，形成Ib，此时Ib要小得多。（曲线右移） Uce进一步增加，集电结的耗尽层变宽，减小了基区的有效宽度，不利于空穴复合，所以Ib减小，但是由于Uce超过1V后再增加，Ic的增加很少，因此，Ib的变化量也很小，通常可以忽略Uce对Ib的影响。 在不同的 IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管的输出特性曲线是一组曲线。 ICEO:集-射极穿透电流,基极开路，集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流 当晶体管饱和时， Uce ? 0，发射极与集电极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶体管截止时，Ic ? 0 ，发射极与集电极之间如同一个开关的断开，其间电阻很大，可见，晶体管除了有放大作用外，还有开关作用。 发射极开路时，集电节的反向饱和电流。 基极开路时，在集电极电源作用下，集电极与发射极之间形成的电流。 选用管子时，一般希望极间反向电流尽量小 Icm：在Ic一个很大范围内，?值基本不变，但当Ic超过一定数值后， ?将明显下降。在Uce=1V时，使得管耗达到Pcm时，对应的电流就是Icm。 信号频率高到一定程度时，集电极电流与基极电流之比不但数值下降，而且产生相移。 结型场效应管（JFET） 绝缘栅场效应管(MOS管) 结型管是利用耗尽区的宽度改变导电沟道的宽窄来控制漏极电流； 绝缘栅型是利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制电流。 耗尽型：在Ugs=0时，漏-源之间存在有导电沟道。 增强型：在Ugs=0时，漏-源之间没有导电沟道。 Ugs控制导电沟道的宽度。 * 绝缘栅场效应管的栅极与源极，栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离。 以一块低掺杂的P型硅片作为衬底；在其中扩散两个N+区（高掺杂）作为电极（S和D）。半导体表面覆盖SiO2绝缘层，在D和S之间的绝缘层上制造一层金属铝作为G极。MOS管的衬底和源极通常是接在一起的。 耗尽型：在Ugs=0时，漏-源之间存在有导电沟道。 增强型：在Ugs=0时，漏-源之间没有导电沟道。 1.当UGS = 0时 , ID = 0。漏源之间有两个背向的PN结，不存在导电沟道，所以在DS间加上电压也不会有电流。 2. Ugs0时，首先讨论Uds=0，D、S和衬底连在一起，由于绝缘层的存在，所以没有电流。但是金属栅极被充电而聚集正电荷，P型半导体中的多子空穴被正电荷排斥，向体内运动，在表面留下带负电的受主离子，形成耗尽层。随着Ugs的增加，耗尽层加宽。 当Ugs增大到一定值时，衬底中的电子（少子）被栅极中的正电荷吸引到表面，在耗尽层和绝缘层之间形成一个N型薄层，称为反型层。这个反型层就构成了D、S之间的导电沟道（将两个N+区相接时）。这时的Ugs称为开启电压（UT）。 Ugs达到开启电压后继续增加，衬底表面感应的电子增多，反型层加宽。而耗尽层的宽度不再变化。 这样就可以利用Ugs的大小控制导电沟道的宽度。 导电沟道形成后，D、S之间加正向电压时，会产生漏极电流Id。并且id随Uds增大而增大（在固定Ugs下，Uds与Id成正比，但是比值受Ugs控制）。 漏极电流沿沟道产生的压降使沟道上各点与栅极间的电压不再相等。该电压削弱了栅极中正电荷电场的作用，由于电压从s向d逐渐升高，对G极电场的削弱也是逐渐增加，因此，沟道从源极到漏极逐渐变窄。 （d点电压最高）。 当Uds增加（Ugd减小）到使Ugd=Ugs(th)（开启电压）时，沟道在漏极附近出现预夹断（只有在Ugs或者UgdUgs(th)时，才会出现反型层）。再继续增大Uds，夹断区只是稍有加长