传感器原理与检测技术第2版钱显毅电子课件第8章节光电式传感器.pptVIP

太阳电池方阵是将太阳辐射直接转换成电能的发电装置。按输出功率和电压的要求选用若干片性能相近的单体太阳电池，经串联、并联连接后封装成一个可以单独作电源使用得太阳电池组件。然后由多个该组件再经串、并联构成一个阵列。在有太阳光照射时，太阳电池方阵发电并对负载供电，同时也对蓄电池组充电，存储能量，供无太阳光照射时使用。 蓄电池组的作用是将太阳电池方阵在白天有太阳光照射时所发出的电量的多余能量（超过用电装置需要）贮存起来的贮能装置。 调节控制器是将太阳电池方阵、蓄电池组和负载连接起来，实现充、放电自动控制的中间控制器，它一般由继电器和电子线路组成。控制器在充电电压达到蓄电池上限电压时，它能自动地切断充电电路，停止对蓄电池供电。当蓄电池电压低于下限值时，自动切断输出电路。 因此，调节控制器不仅能使蓄电池供电电压保持在一定范围，而且能防止蓄电池因充电电压过高或过低而损伤。 图8-34给出了一种12V电池充电电路。它适用于12V的凝胶电解质铅酸电池充电。其中LM350是一个正输出三端可调集成稳压器，它可以提供1.25V~33V，3A的输出。当开关S合上时，充电器的输出电压为14.5V，此时充电电流限制在2A左右，随着电池电压的升高，充电电流逐渐减小，当充电电流减小到150时，充电器转换到一个较低的浮动充电电压，以防止过充电。随着向电池的满量充电，充电电流继续减小，则输出电压从14.5V降到12.5V左右，充电终止。此时三极管BG1导通，使发光二极管点亮，表示电池充电已充足。当然对于大功率太阳能电源其充电电路中的器件需要作适当的选择，使它们匹配，才能适合较大的贮存电流。 图8-34 12V电池充电电路 阻塞二极管的作用是利用其单向性，避免太阳电池方阵不发电或出现短路故障时，蓄电池通过太阳电池放电。阻塞二极管通常选用足够大的电流、正向电压降和反向饱和电流小的整流二极管。 逆变器（直流-交流变换器）是将直流电转换为交流电的装置。最简单的可用一只三极管构成单管逆变器。在大功率输出场合，广泛使用推挽式逆变器。为了提高逆变效率，特别在大功率的情况下，采用自激多谐振荡器，经功率放大，再由变压器升压，形成高压交流输出。逆变器如图8-35所示。 图8-35（a）是一种实用的晶体管单变压器逆变器。该逆变器输出功率较小，但线路简单，制作容易。电路中任何一个不平衡电压都会引起一个晶体管导通，例如BG1正反馈使BG2截止。 8.4.4 光固态图像传感器 光固态图像传感器是由光敏元件阵列和电荷转移器件集合而成的，是以电荷转移为核心，具有光电信号转换、存储、传输和处理功能的集成光敏传感器。 光固态图象传感器按其结构的不同分三类：一类是电荷耦合器件(Charge Coupled Device，简称CCD)；第二类是MOS型图像传感器或称自扫描光电二极管阵列（Self Scanned Photodiode Array，简称SSPA）； 第三类是电荷注入器件(Charge Injection Device，简称CID)。其中最常用的是电荷耦合器CCD。CCD自1970年问世以后，由于它的低噪声，在很暗的环境下性能仍旧良好等特点，CCD图像传感器广泛应用于在微光电视摄像、图象识别和传送等方面。 （一）CCD的结构和基本原理 CCD是一种将光信号转化为电荷包，并以电荷包的形式存储和传递信息的半导体表面器件，它是在MOS结构电荷存储器的基础上发展起来的，所以有人称其为“排列起来的MOS电容阵列”。一个MOS电容器就是一个光敏元，可以感应一个象素点，如果一副图象有512*320个象素点，就需要同样多个光敏元。 CCD单元结构如图8-26所示。其最小单元是在P型（或N型）硅衬底上生长一层厚度约为120nm的SiO2，再在SiO2层上沉积铝电极而构成MOS的电容式转移器件。将一系列排列紧密的MOS阵列加上输入、输出端，便构成了CCD。 图8-26 CCD的MOS结构 1．信号电荷的产生与存储。 如图8-26a当向SiO2表面的电极加正偏压时，P型硅衬底中形成耗尽区（势阱），耗尽区的深度随正偏压升高而加大。当光照射，产生自由电子-空穴对，其中空穴被排斥，少数载流子（电子）被势阱收集到正偏压电极下的区域内，形成电荷包，并与光照/亮度成正比。对于N型衬底的CCD器件，则电极加负电压，少数载流子为空穴。 2．信号电荷的转移与输出 如何实现电荷定向转移呢？通过相邻MOS单元上的电压VG变化来实现，VG加规律变化的脉冲电压，控制相位来控制移动方向。非常类似步进电机的步进控制方式。也有二相、三相等几种控制方式。下面以三相控制方式为例说明控制电荷定向转移的过程。参见图8-33所示。 三相控制