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  半导体三极管有两大类型， 一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管 半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 1.3.1双极型半导体三极管的结构 双极型半导体三极管的结构示意图如图02.01所示。 它有两种类型:NPN型和PNP型。 图 02.01 两种极性的双极型三极管 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。 双极型半导体三极管的电流关系 三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见下图。 三极管放大的实质 双极型半导体三极管的特性曲线 这里，B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。 iB是基极输入电流，vBE 是基极输入电压，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E 两电极取出。 晶体管输出特性曲线（动画202） * 双极型半导体三极管是由两种载 流子参与导电的半导体器件，它由两 个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件。 场效应型半导体三极管仅由一种 载流子参与导电，是一种VCCS器件。 1.3 晶体三极管 双极型晶体管(BJT) 　又称半导体三极管、晶体三极管，或简称晶体管。 (Bipolar Junction Transistor) 三极管的外形如下图所示。 　　三极管有两种类型：NPN 型和 PNP 型。 　　主要以 NPN 型为例进行讨论。 图 1.3.1　三极管的外形 X：低频小功率管 D：低频大功率管 G：高频小功率管 A：高频大功率管 我国晶体管得型号命名方法 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 e-b间的PN结称为发射结(Je) c-b间的PN结称为集电结(Jc) 中间部分称为基区，连上电极称为基极， 用B或b表示（Base）； 一侧称为发射区，电极称为发射极， 用E或e表示（Emitter）； 另一侧称为集电区和集电极， 用C或c表示（Collector）。 双极型半导体三极管晶体管的类型 常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。 三极管的结构 (a)平面型(NPN) (b)合金型(PNP) e b b e c P N P e 发射极，b 基 极，c 集电极。 c 基区 发射区 集电区 N N P 二氧化硅 发射区 集电区 基区 1.3.2　晶体管的电流放大作用 以 NPN 型三极管为例讨论 c N N P e b b e c 表面看 　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。 　不具备放大作用 三极管内部结构要求： N N P e b c N N N P P P 　　1. 发射区高掺杂。 　　2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。 　　三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。 3. 集电结面积大。 实验 + - b c e 共射极放大电路 UBB UCC uBE iC iB + - uCE iE iB 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 iC 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 iE 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 表1-1 电流单位：mA b e c Rc Rb 一、晶体管内部载流子的运动 I E IB 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流 　　发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的