多晶硅来料检验及掺硼计算 .pptVIP

多晶硅原料 水平区熔单向凝固成硅锭，再次去除金属杂 质聚集部分和外表部分，进行粗粉碎和清洗 后，在电子束熔解炉中去除P和C杂质，直接 生成太阳能级多晶硅。 优点：成本低、能耗低、产量大 缺点：杂质多，纯度较低 多晶硅掺杂计算 1、为什么要掺杂？ 简单来说，多晶硅掺杂就是为了制成P型或者N型多晶硅片。我们都知道：太阳电池发电的核心部件是P-N结，而形成P-N结的第一步就是制作 多晶硅掺杂计算 P型或者N型多晶硅片。 2、选择硼作为掺杂剂原因 多晶硅中掺入硼形成P型多晶硅，选择掺硼主要有以下几点原因： 1） 在硅中的固溶度要高 2）分凝系数要大 3）扩散系数要小 4）错配度要小 多晶硅掺杂计算 5）蒸发性要小 3、计算过程 多晶硅电阻率和掺杂剂（B）浓度存在以下两种关系： ① 多晶硅掺杂计算 在计算硼的掺入量时，通常忽略：硼的挥 发、石英坩埚引入的杂质。 ② 多晶硅掺杂计算 举例： 配420KG原生多晶硅料，目标电阻率1.5Ω*cm。 假设鹏母合金电阻率0.004Ω*cm 首先先算电阻率为1.5Ω*cm时B的原子浓度，（通过 关系式①算得B浓度为9.41745E15 atom/cm3) 在把浓度转换成重量 M硼=420