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模块一 二极管及其应用 模块学习目标 知识目标： 了解二极管的单向导电性； 了解二极管的结构、电路符号、引脚、伏安特性、主要参数 了解硅稳压管、发光二极管、光电二极管、等特殊二极管的外形、功能和应用 识读整流电路，会通过估算合理选用整流电路元件的参数 识读电容滤波、电感滤波、复式滤波电路图 会估算电容滤波电路的输出电压 了解二极管稳压原理，会使用稳压二极管 技能目标： 能识别二极管的外形及管脚 能用万用表判别二极管的极性和质量优劣 搭接由整流桥组成的应用电路，会使用整流桥堆 使用万用表、电压表等测量直流电源电路参数 会焊接简单的直流电源电路  任务一 二极管 子任务1——认识PN结的单向导电性特性 一 认识PN结 1 描述 自然界中的物质，按导电能力的不同，可分为导体、半导体和绝缘体。导体的导电能力最强，绝缘体最弱，半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。 半导体特征：半导体的导电特性很特殊，导电能力随着外界环境如光、热、和掺杂物质等变化而变化，总的来说具有光敏性、热敏性和掺杂性，其导电能力随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化。 聪明的人类利用半导体的这一特性创造出一门技术，这就是电子技术！所以电子技术的核心器件是半导体元件。 载流子：半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子” ： 自由电子和空穴。自由电子带负电荷，空穴带正电荷。在外电场的作用下，两种载流子都可以做定向移动，形成电流。 N型半导体：掺入五价元素，主要依靠电子导电的半导体，即电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 P型半导体：掺入三价元素，主要依靠空穴导电的半导体，即空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 图1.1 N型半和P型半导体 PN结：在一块纯净的半导体一端掺入五价的元素另一端掺入三价的元素，将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起，在两种杂质半导体的交界面就会形成为PN结。 P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内电子很多而空穴很少，而P型区内空穴很多电子很少，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。于是，有一些电子要从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。 2 结论： 图1.2 PN结 可见PN结是P型半导体与N型半导体在它们的交界面形成空间电荷区PN结，是电子技术中许多元件，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。电源的正极接P区，负极接N区，PN结正向偏置。外加的正向电在PN结，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，电流可以顺利通过，，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻。如果电源的正极接N区，负极接P区，PN结向偏置外加的反向电压有一部分降落在PN结区，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，，此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性 反向击穿：PN结两端外加的反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增大，称为PN结的反向击穿。 热击穿：若反向电流增大并超过允许值，会使PN结烧坏，称为热击穿。这会导致永久性损坏哦。 2 结论： PN结加正向电压时，呈现低电阻，较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电2——认识二极管的结构、电路符号、伏安特性、主要参数 一 认识二极管的结构、电路符号 1 描述 将一个PN结用玻璃或塑料封装起来外壳从P区和N区各引出一个电极，就制成一个二极管由P区引出的电极为正（+）极，也称为阳极；由N区引出的电极为负（－）极，也称为阴极。二极管的文字符号用“VD”表示，符号的三角形表示通过二极管正向电流的方向。 根据制造材料的不同，二极管硅二极管和锗。 图1.4 二极管的结构与电路符号 图1.6 二极管的 二极管 二极管的正向特性 向电压较小，这个区域常称为正向特性的“死区”一般硅二极管的“死区”电压约为0.5V，锗二极管约为0