纳米压印技术的图形精度分析-期刊.pdfVIP

2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 纳米压印技术的图形精度分析 司卫华”董晓文’r2顾文琪1 (1．中国科学院电工研究所．北京 100080) (2．中国科学院研究生院，北京 100039) 摘要：纳米压印技术可实现纳米结构的图形转移．具有分辨率高、效率高、成本低的优点。通过对 纳米压印过程中影响图形精度的一些因素进行分析，提出了相应的解决方法。利用研制的NIL-01型 压印机进行工艺实验，给出纳米压印工艺实验的结果，并对结果进行了分析。采用镀有Cr的石英玻璃 模版．在NIL-01型压印机上，用热压印技术可以压印出具有100rim特征尺寸的PMMA图形。 关键词：纳米压印；压印图形；图形精度；模版 中图分类号：TN405 文献标识码：A 1引言 纳米压印光刻技术(Nano—Imprint 具有超高分辨率的纳米光刻方法，它可以在柔性聚合物等薄膜上形成分辨率小于lO纳米的大面积三 维人工结构。纳米压印技术通过压印实现图形的转移。将模版与基片进行对准，基片由硅片和聚合物 形成的抗蚀层组成。通常热压印中抗蚀层可采用传统光刻胶PMMA(聚甲基丙烯酸甲脂)。且压印前已 经均匀固化在硅片上。然后加热加压，使模版上的微细图形转移到抗蚀剂上。最后进行脱模分离，使模 版与基片分离。然后用反应离子刻蚀(RIE)将残余层除去。这就完成了整个压印过程川。 随着大规模集成电路和集成光学的发展，要求器件日趋高密度化、高集成化和多功能化。为适应 这一要求．制造工艺技术必须满足图形精细化、过程低温化、控制精密化、环境超净化的要求。因此对 纳米压印图形的精度要求越来越高。然而在纳米压印实验过程中，由于温度、压力、模版的抗粘性以及 聚合物的特性等，都会对压印的图形精度产生影响。本文提出对压印图形精度产生影响的各种因素以 PMMA胶上进行了热压印试验，取得了100nm特征尺寸的图形。 2 影响压印图形精度的因素 压印图形的精度直接影响器件制作的成品率和器件性能。在压印过程中，有很多因素影响压印图 形的精度。下面对这些因素进行分析。 2．1温度 热压印的温度要控制在适当的范围。如果温度太低，聚合物的流动性不够，且可逆流动性大，撤模 后图形的变形较大；如果温度太高。可能破坏聚合物分子链本身的结构，使图形区域产生较多缺陷。聚 合物的松弛时间和粘度的比率随温度的变化方程为： log(T／to)=log(11／qo)=(一C1(丁一如))“c2+(T一瓦)) -428- 2005年12月 第十三届全目电子束·毒子束·光子束学术年套 湖南·长沙 其中。f为聚合物的松弛时间；q为聚合物的粘度；r为绝对温度；T0和q。分别是在参考温度下T 看出．升高温度比增加时间更有效。因为聚合物粘度的比率随温度呈指数关系的变化。通常加热的最 程中，模版和基片的温度要升至抗蚀层聚合物的玻璃态温度以上，在压力的作用下使聚合物流动成 型，而压印结束后又降至常温。这就要求模版材料要有较低的热膨胀系数，避免热膨胀程度的不同而 导致图形变形。 2．2压印时问 如果压印的时问不够，聚台物填充不完全，就会严重影响压印图形的精度；如果压印时间过长，就 LJ推导了聚合物完全转移形成压印图形所需时问的计算公式 影响压印的效率。Heyderman 行。s2 】 1． 0。—!掌■(i了一i了)，其中。为压印时间；x10为聚台物粘度；s为图形面积；^，为压印后聚合物高 ‘} n| ”日 度；b为初始聚合物高度；p为压力141。当聚合物的种类、厚度、模板的尺寸以及压力一定时，压印时间就 取决于聚合物的粘度，而聚合物的粘度与压印的温度和聚合物的平均分子量有关。升高温度和减小聚 合物的平均分子量都会减小聚合物的粘度，从而缩短压印时间。在不破坏化学键的情况下，压印温度 越高，平均分子量越小，压印时同越短。然而平均分子量太低，则聚合物很脆，在撤模时容易损伤模板 和基片。对于我们通常用的PMMA，它的玻璃化转变温度为105℃，当压印温度从室温升到200。C，再