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关于NAND Flash存储空间管理和文件管理方法的研究 随着信息家电和移动通信的蓬勃发展,Flash存储卡获得了广泛的应用。存储卡主要应用于智能电话、数码相机、PDA、数字录音机、MP3播放器、手机、电动玩具等相关领域。在人们不断追逐更高品质生活的过程中，存储卡的容量和其他性能呈现飞速提升的趋势。 Flash存储卡一部数码设备的“大脑”精美的照片，还是动听的音乐，都通过作为储存。一种基于半导体的存储器，具有系统掉电后仍可保留内部信息，及在线擦写等功能特点，是一种替代EEPROM存储介质的新型存储器。因为它的读写速度比EEPROM更快，在相同容量的情况下成本更低，因此闪存Flash然而，由于Flash读写存储的编程特点，Flash Memory被广泛地运用于简单、快捷的信息存储，以及我们所涉及的中量存储应用。它良好的稳定性近似于硬盘，而并非一种随机存储器。事实上，Flash Memory被看作一种静态存储设备静态是指其所有的部件都是固定的电子的，而非机械的。 图1 EPROM存储单元 EPROM常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存“1”或者“0”，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入“0”。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入“1”。 EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图2所示： 图2 EEPROM基本存储单元等路的工作原理 与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除，擦除后可重新写入。 闪存的基本单元电路如下图3所示，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。 图3 快擦写存储器基本单元等效电路 随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅，下图4就是NAND型闪存的晶体管结构： 图4 NAND型闪存的晶体管结构 由上图可知，在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动栅。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是“0”或“1”取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为“0”，无电子为“1”。 闪存在写入数据之前先对其进行初始化，具体的说就是从所有浮动栅中导出电子，将所有存储单元变成数据“1”。写入时只有数据为“0”时才进行写入，数据为“1”时则什么也不做。写入“0”时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为“1”，电流小则定为“0”。浮动栅没有电子的状态（数据为“1”）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为“0”）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。 NADN Flash与NOR Flash的比较分析 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。所谓的NOR、NAND都是以晶体管的连接形态命名的。不难发现，它们是非或、非与电路的简称，而相应闪存的晶体管的连接方式与相应的门电路的连接方式有几分相像。Intel于1988年首先开发出NOR Flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。 NOR的最主要特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)的功能，这样应用程序可