直流磁控溅射ITO薄膜的低温等离子退火研究-期刊.pdfVIP

直流磁控溅射ITO薄膜的低温等离子退火研究 朱长纯商世广 (两安交通人学电信学院，两安，710049) 摘要：将赢流磁控溅射法在低温下制备的IT0薄膜，分别置于氧气、氨气和氧气·{I退火和相 应的等离子体处理，在相对低的激下得到晶体结构性能、光学性能和电学性能优异的ITO薄膜。 Tin 当处理温度为1GOC时，三种气氛下ITO(IndiumOxide)薄膜的结构均开始由非晶转变为晶 态，相应的电学和光学性能都有所提高；当处理温度为350℃时，IT0薄膜的衍射曲线与In203的 PDF卡相似，可见光透过率都超过80％，其巾氨气为88．5％(波长为600nm，含玻璃)：薄膜表嘶 的针刺很少，表面平整度(RMS)均小于2．08m。其中，在氨气条件下电学性能变化最人，ITO 对IT0簿膜的广阔应用前景具有很好的实际应用价值。 关键词：ITO薄膜；磁控溅射；方块电阻 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号： ResearchofLow andPlasmaTreatment TemperatureAnnealing inDi仃erent ITOFilms Ambiences DC upon By magnetronSputtering ShangShiguang，ZhuChangchun ofElectronicandInformation Jiao (School 710049，China) Engineering．Xi‘alltongUniversit3，Xi’an Abstract：ITOfilmswere DC atroom were preparedby magnetronsputtering temperature，and annealedin and andtreatedwith argon，ammoniaoxygenatmosphere correspondingplasma， of structural，electricaland ITOfilmswere respectively．The opticalproperties improvedevidently． ThestructureofITOfilms to from to electricaland change crystal，the began amorphous optical were 1 of at 50C．TheresultsXRDwere similartoPDFcardof improved in203，the properties very transmittancesweremorethan80％invisible a of the