工艺模拟仿真.doc

电子科技大学成都学院 （微电子技术系） 实验报告书 课程名称：工 艺 模 拟 仿 真 学 号：2 8 4 0 7 1 0 113 姓 名：岳 波 教 师：袁 艺 丹 2011 年 06月 20日 一、实验目的：学习并掌握LDMOS工艺仿真技术。 二、实验仪器设备 计算机一台 仿真软件 实验原理 工艺模拟是在给定的器件结构、工艺步骤和工艺参数的条件下求解半导体 器件内部的结构变化和杂质分布。 四、实验步骤及数据 设置网格 LINE Y LOC=0 SPAC=2 LINE Y LOC=7 SPAC=2 LINE Y LOC=65 SPAC=5 LINE X LOC=0 SPAC=2 LINE X LOC=80 SPAC=2 初始化 INITIALIZE 100 BORON=5E13 初试氧化 DIFFUSE TIME=25 TEMP=750 T.FINAL=1000 F.N2=3 F.O2=0.05 DIFFUSE TIME=5 TEMP=1000 DRYO2 DIFFUSE TIME=45 TEMP=1000 F.H2=3 F.O2=1.7 DIFFUSE TIME=5 TEMP=1000 DRYO2 DIFFUSE TIME=25 TEMP=45 T.FINAL=1000 Nwell光刻 MASK IN.FILE=MASK.TL1 DEPOSIT PHOTO THICK=1.2 EXPOSE MASK=nwell DEVELOP ETCH OXIDE ETCH POHO ALL Nwell注入氧化 DIFFUSE TIME=20 TEMP=750 T.FINAL=1000 F.N2=3 F.O2=0.05 DIFFUSE TIME=5 TEMP=1000 DRYO2 DIFFUSE TIME=5 TEMP=1000 F.H2=3 F.O2=1.7 DIFFUSE TIME=5 TEMP=1000 DRYO2 DIFFUSE TIME=20 TEMP=1000 T.FINAL=750 INERT Nwell注入 DEPOSIT PHOTO THICK=1.2 EXPOSE MASK = nwell DEVELOP IMPLANT PHOS DOSE=9.8E11 ENERGY=100 ETCH PHOTO ALL Nwell推阱 DIFFUSE TIME=20 TEMP=750 T.FINAL=1000 F.N2=3 F.O2=0.05 DIFFUSE TIME=30 TEMP=1200 F.N2=3 F.O2=3.5 DIFFUSE TIME=170 TEMP=1200 INERT DIFFUSE TIME=20 TEMP=1200 T.FINAL=750 INERT 光刻PBODY区 DEPOSIT PHOTO THICK=1.2 EXPOSE MASK=pwell 1 DEVELOP ETCH OXIDE THICK=0.4 PBODY注入 IMPLANT BORON DOSE=1.1E13 ENERGY=60 ETCH PHOTO ALL 光刻P -- 注入区 DEPOST PHOTO THICK=1.2 EXPOSE MASK=pwell 2 DEVELOP P -- 注入 IMPLANT BORON DOSE=1.2E13 ENERGY=30 ETCH PHOTO ALL P扩散 DIFFUSE TIME=20 TEMP=750 T.FINAL=1100 INERT DIFFUSE TIME=20 TEMP=750 INER